使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)方法在藍(lán)寶石襯底上分別采用AlN和GaN作為形核層生長(zhǎng)了AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)外延材料,并進(jìn)行了器件制備和性能分析。通過(guò)原子力顯微鏡(AFM)、高分辨率X射線雙晶衍射儀(HR-XRD)和二次離子質(zhì)譜儀(SIMS)等儀器對(duì)兩種樣品進(jìn)行了對(duì)比分析,結(jié)果表明采用AlN形核層的GaN外延材料具有更低的位錯(cuò)密度,且緩沖層中氧元素的拖尾現(xiàn)象得到有效地抑制。器件直流特性顯示,與基于GaN形核層的器件相比,基于AlN形核層的器件泄漏電流低3個(gè)數(shù)量級(jí)。脈沖I-V測(cè)試發(fā)現(xiàn)基于GaN形核層的HEMT器件受緩沖層陷阱影響較大,而基于AlN形核層的HEMT器件緩沖層陷阱作用不明顯。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 材料分析
3 器件性能
4 結(jié)論



本文編號(hào)：4030156