通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法,在氫化物氣相外延（HVPE）自支撐GaN襯底和藍(lán)寶石（0001）襯底上外延生長AlGaN/AlN/GaN結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管（HEMT）材料,采用低壓化學(xué)氣相沉積SiN_x作為柵介質(zhì)層,形成金屬絕緣半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（MISHEMT）結(jié)構(gòu),對比研究了兩種器件的材料性能和電學(xué)特性。陰極發(fā)光測試表明HVPE的自支撐GaN襯底缺陷密度可降至6×10⁵ cm^-2量級。自支撐GaN襯底上AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)具有良好的表面形貌,其表面粗糙度R_a僅為0.51 nm,具有較大的源漏電極飽和電流I_DS=378 mA/mm和較高跨導(dǎo)G_m=47 mS/mm。動態(tài)導(dǎo)通電阻測試進(jìn)一步表明,自支撐GaN襯底上同質(zhì)外延生長的GaN緩沖層具有低缺陷密度,使AlGaN/GaN MISHEMT電流崩塌特性得到抑制。 

【文章來源】：微納電子技術(shù). 2017,54(11)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結(jié)果與討論
    2.1 HVPE自支撐GaN襯底材料表征
    2.2 材料與電學(xué)特性
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]High performance AlGaN/GaN HEMTs with AlN/SiNx passivation[J]. 譚鑫,呂元杰,顧國棟,王麗,敦少博,宋旭波,郭紅雨,尹甲運,蔡樹軍,馮志紅.  Journal of Semiconductors. 2015(07)
[2]高質(zhì)量GaN薄膜的MOCVD同質(zhì)外延生長[J]. 李亮,李忠輝,羅偉科,董遜,彭大青,張東國.  人工晶體學(xué)報. 2013(05)
[3]AlGaN表面坑狀缺陷及GaN緩沖層位錯缺陷對AlGaN/GaN HEMT電流崩塌效應(yīng)的影響[J]. 席光義,任凡,郝智彪,汪萊,李洪濤,江洋,趙維,韓彥軍,羅毅.  物理學(xué)報. 2008(11)



本文編號：3204588