通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）法,在氫化物氣相外延（HVPE）自支撐GaN襯底和藍寶石（0001）襯底上外延生長AlGaN/AlN/GaN結構的高電子遷移率晶體管（HEMT）材料,采用低壓化學氣相沉積SiN_x作為柵介質層,形成金屬絕緣半導體高電子遷移率晶體管（MISHEMT）結構,對比研究了兩種器件的材料性能和電學特性。陰極發(fā)光測試表明HVPE的自支撐GaN襯底缺陷密度可降至6×10⁵ cm^-2量級。自支撐GaN襯底上AlGaN/GaN HEMT結構具有良好的表面形貌,其表面粗糙度R_a僅為0.51 nm,具有較大的源漏電極飽和電流I_DS=378 mA/mm和較高跨導G_m=47 mS/mm。動態(tài)導通電阻測試進一步表明,自支撐GaN襯底上同質外延生長的GaN緩沖層具有低缺陷密度,使AlGaN/GaN MISHEMT電流崩塌特性得到抑制。 

【文章來源】：微納電子技術. 2017,54(11)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結果與討論
    2.1 HVPE自支撐GaN襯底材料表征
    2.2 材料與電學特性
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
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[3]AlGaN表面坑狀缺陷及GaN緩沖層位錯缺陷對AlGaN/GaN HEMT電流崩塌效應的影響[J]. 席光義,任凡,郝智彪,汪萊,李洪濤,江洋,趙維,韓彥軍,羅毅.  物理學報. 2008(11)



本文編號：3204588