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21. 600V高雪崩耐量平面柵VDMOS器件優(yōu)化設(shè)計(jì)
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22. P溝道VDMOS器件抗輻射加固技術(shù)研究
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23. 功率VDMOS器件的SEB致SEGR效應(yīng)研究
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24. 一種具有VLD終端結(jié)構(gòu)的600V VDMOS設(shè)計(jì)
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25. 集成溫度傳感器的3300V SiC VDMOS設(shè)計(jì)
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26. 評價(jià)功率VDMOS器件SEB效應(yīng)的畸變NPN模型
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27. 功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技術(shù)研究進(jìn)展
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28. VDMOS器件的自熱效應(yīng)及高溫?zé)彷d流子效應(yīng)的研究
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29. 埋柵型SIT和VDMOS的單粒子燒毀效應(yīng)對比研究
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30. SiC基VDMOS器件UIS應(yīng)力退化機(jī)理及壽命模型研究
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