對埋柵型靜電感應(yīng)晶體管（SIT）和垂直雙擴散MOSFET（VDMOS）的抗單粒子燒毀（SEB）能力進行了仿真對比研究。利用Medici軟件,仿真得到兩種器件發(fā)生SEB效應(yīng)前后的漏極電流響應(yīng)和發(fā)生單粒子燒毀效應(yīng)的臨界漏極偏壓。仿真結(jié)果表明,SIT與VDMOS兩種器件常態(tài)擊穿分別為580 V和660 V,在柵極關(guān)斷電壓為-10 V下,SIT的單粒子燒毀效應(yīng)臨界漏極電壓為440 V,遠高于VDMOS關(guān)斷時230 V的臨界漏極電壓;SIT發(fā)生SEB效應(yīng)時的漏極電流數(shù)量級為10^-3A/μm,而VDMOS發(fā)生SEB效應(yīng)時的漏極電流數(shù)量級為10^-4A/μm,SIT在抗SEB效應(yīng)方面比VDMOS具有更大的優(yōu)勢。同類研究少見文獻報道。對埋柵SIT樣品進行了試制,樣品擊穿電壓為530 V。 

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 單粒子燒毀效應(yīng)模擬
    1.1 VDMOS的SEB失效機理
    1.2 SIT結(jié)構(gòu)
    1.3 SEB模型分析
2 仿真分析
3 結(jié) 論


【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]靜電感應(yīng)晶體管抗輻射特性的研究與提高[D]. 徐麗萍.蘭州交通大學(xué) 2016
[2]靜電感應(yīng)晶體管的研究與仿真[D]. 王富強.蘭州交通大學(xué) 2015



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