構(gòu)建了一個(gè)半徑為0.05μm的圓柱體,用于模擬單粒子輻射功率VDMOS器件的粒子徑跡,且圓柱體內(nèi)新生電子和新生空穴的數(shù)目沿圓柱體的半徑方向呈高斯分布�？紤]到功率VDMOS器件的SEB效應(yīng)與寄生NPN具有直接關(guān)系,提出了一種畸變NPN模型,并通過(guò)合理假設(shè),推導(dǎo)出功率VDMOS器件在單粒子輻射下安全漏源偏置電壓的解析式。結(jié)果表明,使用解析式計(jì)算得到的SEB閾值與TCAD仿真結(jié)果吻合較好。該模型可被廣泛用于功率VDMOS器件SEB效應(yīng)的分析和評(píng)價(jià),為抗輻射功率VDMOS器件的選型及評(píng)價(jià)提供了一種簡(jiǎn)單和廉價(jià)的方法。 

【文章來(lái)源】：微電子學(xué). 2020,50(02)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引 言
1 描述SEB效應(yīng)的畸變NPN模型
    1.1 重粒子輻射半導(dǎo)體材料的圓柱體模型
    1.2 寄生NPN晶體管CB結(jié)的畸變模型
2 畸變NPN晶體管CB結(jié)耗盡區(qū)電場(chǎng)
    2.1 輻射前寄生NPN晶體管CB結(jié)耗盡區(qū)電場(chǎng)
    2.2 輻射后寄生NPN晶體管CB結(jié)耗盡區(qū)電場(chǎng)
3 驗(yàn)證與討論
4 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]SEGR- and SEB-hardened structure with DSPSOI in power MOSFETs[J]. Zhaohuan Tang,Xinghua Fu,Fashun Yang,Kaizhou Tan,Kui Ma,Xue Wu,Jiexing Lin.  Journal of Semiconductors. 2017(12)
[2]功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 唐昭煥,楊發(fā)順,馬奎,譚開(kāi)洲,傅興華.  微電子學(xué). 2017(03)
[3]VDMOSFET二次擊穿效應(yīng)的研究[J]. 張麗,莊奕琪,李小明,姜法明.  現(xiàn)代電子技術(shù). 2005(04)



本文編號(hào)：3250841