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261. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的碳化硅MOSFET行為模型及電磁兼容研究
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262. 基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因數(shù)校正器
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263. 基于SiC MOSFET的移相全橋變換器研究及其可靠性分析
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264. 半解析法和半經(jīng)驗(yàn)法在SOI和MOSFET建模中的研究
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265. MOSFET中近零介電常數(shù)的產(chǎn)生和表面等離激元模式特性
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266. 低壓直流固態(tài)斷路器用SiC MOSFET溫度特性及快速可靠關(guān)斷技術(shù)研究
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267. NiSiGe金屬源漏組分對(duì)肖特基勢(shì)壘Ge MOSFET電學(xué)性能的影響
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268. 基于模塊導(dǎo)通電阻的碳化硅MOSFET鍵合線健康狀態(tài)評(píng)估方法
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269. 1200V碳化硅MOSFET在智能電網(wǎng)電力電子設(shè)備中的應(yīng)用特性研究
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270. 高k柵介質(zhì)SOI應(yīng)變硅肖特基源漏MOSFET漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)研究
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