作為分布式新能源更高效率的接入形式的直流微電網(wǎng)技術(shù),對實(shí)現(xiàn)能源可持續(xù)發(fā)展和推進(jìn)節(jié)能減排具有重要意義。然而,保護(hù)技術(shù)的缺乏限制了直流微電網(wǎng)的應(yīng)用。固態(tài)斷路器能夠快速切斷線路故障、結(jié)構(gòu)簡單、無弧動作、性能可靠,并可以將短路電流限制在較低水平,是直流微電網(wǎng)保護(hù)技術(shù)未來的發(fā)展方向。目前基于硅（Silicon,Si）功率器件的直流固態(tài)斷路器通態(tài)損耗高、器件工作結(jié)溫低、耐受電壓低、性能受溫度影響顯著,限制了固態(tài)斷路器的進(jìn)一步推廣。碳化硅（Silicon Carbide,SiC）功率器件具有低損耗、高耐壓、高工作結(jié)溫以及性能受溫度影響小等優(yōu)良特性,為固態(tài)斷路器的快速可靠關(guān)斷能力提供了可能。然而,直流微電網(wǎng)發(fā)生短路故障時(shí),故障電流迅速增加,會導(dǎo)致器件結(jié)溫顯著上升,使得器件工作于高溫狀態(tài),可能會導(dǎo)致器件動、靜態(tài)特性及特征參數(shù)發(fā)生改變。由于SiC功率器件關(guān)斷速度較快,電流變化率較大,還會給斷路器帶來較大的瞬時(shí)電壓應(yīng)力問題。此外,為配合斷路器動作,快速可靠的故障電流檢測也必不可少。為了發(fā)揮SiC MOSFET的優(yōu)勢,確�；赟iC MOSFET的直流固態(tài)斷路器具有快速、可靠關(guān)斷能力,論文開展了SiC MOS... 

【文章來源】：重慶大學(xué)重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：125 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

直流固態(tài)斷路器樣機(jī)Fig.6.8SiCMOSFET-basedDCsolidstatecircuitbreakerprototype

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[6]航空270V混合式斷路器分?jǐn)嗨矐B(tài)特性及實(shí)驗(yàn)研究[J]. 霍文磊,武建文,李德閣,賈博文,周軍亮.  中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2017(04)
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碩士論文
[1]高壓固態(tài)開關(guān)關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 于海躍.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017
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[3]碳化硅MOSFET器件建模及一體化驅(qū)動技術(shù)研究[D]. 李剛.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[4]IGBT驅(qū)動及過壓保護(hù)研究[D]. 趙愷.華南理工大學(xué) 2015
[5]基于碳化硅MOSFET變溫度參數(shù)模型的器件建模與仿真驗(yàn)證[D]. 徐國林.華北電力大學(xué) 2015
[6]全固態(tài)高壓直流斷路器的設(shè)計(jì)[D]. 常友輝.西安電子科技大學(xué) 2014
[7]適應(yīng)于分布式電源接入的直流微網(wǎng)研究[D]. 朱克平.浙江大學(xué) 2013
[8]碳化硅MOSFET應(yīng)用技術(shù)研究[D]. 陸玨晶.南京航空航天大學(xué) 2013
[9]低壓ZnO壓敏電阻器的性能優(yōu)化[D]. 惠磊.西安電子科技大學(xué) 2011



本文編號：3398662