本文關(guān)鍵詞：基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因數(shù)校正器，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：半橋功率因數(shù)校正PFC(power factor correction)拓?fù)溆捎谄渚哂休^少的電流回路器件數(shù),因而導(dǎo)通損耗小、效率高。但是,該拓?fù)渲虚_關(guān)器件電壓應(yīng)力大,因此如果選用高壓的IGBT作為開關(guān)器件,則開關(guān)損耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顧了高耐壓與低通態(tài)電阻,其具有較小的開關(guān)損耗,可以降低開關(guān)損耗,尤其是關(guān)斷損耗。但由于高頻工作時(shí)其開通損耗仍然較大,嚴(yán)重制約變換器效率的提高。因此,利用碳化硅MOSFET優(yōu)良的開關(guān)特性,采用電感電流三角波模式(TCM)的控制方式,使器件工作在零電壓開通狀態(tài)下,進(jìn)一步降低開關(guān)損耗。針對(duì)這種控制方式,詳細(xì)敘述了各個(gè)關(guān)鍵參數(shù)的計(jì)算,并設(shè)計(jì)搭建了一臺(tái)1 100 W的全碳化硅半橋功率因數(shù)校正變換器,其達(dá)到了較高的效率,峰值效率達(dá)到了99.2%。
【作者單位】： 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 高效率 碳化硅器件 電流三角波模式(TCM) 零電壓開通
【基金】：浙江省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(LY14E070005) 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51522704,51477154)~~
【分類號(hào)】：TM46;TN386
【正文快照】： 引言傳統(tǒng)橋式Boost型功率因數(shù)校正PFC(powerfactor correction)拓?fù)涫怯汕岸硕䴓O管整流橋和后級(jí)Boost結(jié)構(gòu)構(gòu)成,其電流流經(jīng)回路上存在3個(gè)半導(dǎo)體器件,其中有2個(gè)是在前端整流橋上,這導(dǎo)致了整流橋上存在較大的導(dǎo)通損耗,限制了PFC整流器效率的提高。為了提高PFC整流器的效率,減少橋

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本文編號(hào)：486081