本文關鍵詞：基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因數(shù)校正器，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：半橋功率因數(shù)校正PFC(power factor correction)拓撲由于其具有較少的電流回路器件數(shù),因而導通損耗小、效率高。但是,該拓撲中開關器件電壓應力大,因此如果選用高壓的IGBT作為開關器件,則開關損耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顧了高耐壓與低通態(tài)電阻,其具有較小的開關損耗,可以降低開關損耗,尤其是關斷損耗。但由于高頻工作時其開通損耗仍然較大,嚴重制約變換器效率的提高。因此,利用碳化硅MOSFET優(yōu)良的開關特性,采用電感電流三角波模式(TCM)的控制方式,使器件工作在零電壓開通狀態(tài)下,進一步降低開關損耗。針對這種控制方式,詳細敘述了各個關鍵參數(shù)的計算,并設計搭建了一臺1 100 W的全碳化硅半橋功率因數(shù)校正變換器,其達到了較高的效率,峰值效率達到了99.2%。
【作者單位】： 浙江大學電氣工程學院;
【關鍵詞】： 高效率 碳化硅器件 電流三角波模式(TCM) 零電壓開通
【基金】：浙江省自然科學基金資助項目(LY14E070005) 國家自然科學基金資助項目(51522704,51477154)~~
【分類號】：TM46;TN386
【正文快照】： 引言傳統(tǒng)橋式Boost型功率因數(shù)校正PFC(powerfactor correction)拓撲是由前端二極管整流橋和后級Boost結構構成,其電流流經(jīng)回路上存在3個半導體器件,其中有2個是在前端整流橋上,這導致了整流橋上存在較大的導通損耗,限制了PFC整流器效率的提高。為了提高PFC整流器的效率,減少橋

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本文編號：486081