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251. 緩沖層對(duì)PZT/GaAs異質(zhì)結(jié)的生長(zhǎng)及光伏特性的作用研究
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252. 2~20GHz GaAs超寬帶雜譜抑制單片低噪聲放大器
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253. 低能質(zhì)子在半導(dǎo)體材料Si和GaAs中的非電離能損
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254. 強(qiáng)THz場(chǎng)下GaAs和InSb中瞬態(tài)谷間散射和碰撞電離（英文）
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255. 基于70nm GaAs MHEMT工藝的W波段低噪聲放大器
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256. 3例糖原貯積癥Ⅱ型患兒的臨床特點(diǎn)及GAA基因突變分析
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257. 基于SI-GaAs自擊穿樣品產(chǎn)生高壓重頻納秒脈沖的研究
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258. InAs/GaAs量子點(diǎn)中載流子輸運(yùn)特性及在光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用
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259. 大功率GaAs基半導(dǎo)體激光器COD監(jiān)控及失效機(jī)理研究
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260. 基于InAs/GaAs量子點(diǎn)-石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)的肖特基光電探測(cè)器研究
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