本文選題：電子束直寫　切入點(diǎn)：W波段　出處：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年02期

【摘要】：報(bào)道了一種采用電子束直寫70nm"Y"型柵工藝制備的GaAs MHEMT器件及W波段低噪聲放大器。器件的最大跨導(dǎo)可達(dá)到1 050mS/mm,最大電流密度可達(dá)650mA/mm。通過(guò)小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試,可外推其電流增益截至頻率fT及最大振蕩頻率fmax分別達(dá)350GHz及470GHz。采用該工藝制備的W波段低噪聲放大器,在86~96GHz頻段可實(shí)現(xiàn)噪聲系數(shù)小于3dB,增益大于20dB。
[Abstract]:A GaAs MHEMT device and a W-band low noise amplifier fabricated by 70nm "Y" gate technology with electron beam direct-writing are reported. The maximum transconductance of the device can reach 1 050mSr / mm and the maximum current density can reach 650mA / mmmm. the small signal S parameters are measured. It can be extrapolated that the current gain ending frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax are up to 350GHz and 470 GHz respectively. The W band low noise amplifier fabricated by this process can realize the noise coefficient less than 3 dB and gain more than 20 dB in the 86~96GHz band.
【作者單位】： 南京電子器件研究所;微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TN722.3

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本文編號(hào)：1674610