發(fā)布時(shí)間：2017-10-19 13:37

  本文關(guān)鍵詞：低能質(zhì)子在半導(dǎo)體材料Si和GaAs中的非電離能損

  更多相關(guān)文章： 低能質(zhì)子 半導(dǎo)體材料 NIEL非電離能損 Si、GaAs

【摘要】：分析了新型光電器件在常規(guī)空間輻射環(huán)境下,電子器件所產(chǎn)生的一系列位移型損傷及對(duì)應(yīng)成因。經(jīng)多次對(duì)比實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),其位移損傷和器件失效主要由非電離能損(NIEL)所誘發(fā)。其根本損耗來(lái)源為:在低能空間狀態(tài)下,庫(kù)侖間的相互作用力將凸顯,并逐漸占據(jù)主導(dǎo)地位。而當(dāng)前主要采用的散射微分截面法,如Mott-Rutherford型散射法,均無(wú)法有效屏蔽核外電子間存在的庫(kù)侖作用力影響,從而導(dǎo)致大量非電離能損產(chǎn)生。由此,文中結(jié)合非電離能損特性及成因,在解析算法基礎(chǔ)上結(jié)合Monte-Carlo推衍方法,以SRIM程序模擬并推算出較精確的低能質(zhì)子在半導(dǎo)體材料(以Si、Ga AS為例)中的NIEL數(shù)值量級(jí),同時(shí)參照薄靶近似思想改良實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)規(guī)律表明,能量總值為1 ke V的低能質(zhì)子材料中NIEL評(píng)測(cè)數(shù)值量級(jí)大約為Ga As質(zhì)子材料的1/5、Summers數(shù)值量級(jí)的1/3,這一結(jié)果將為航天材質(zhì)設(shè)計(jì)和改良提供重要的參考。
【作者單位】： 三江學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 低能質(zhì)子 半導(dǎo)體材料 NIEL非電離能損 Si、GaAs
【分類號(hào)】：TN304
【正文快照】： 現(xiàn)今航空作業(yè)當(dāng)中,長(zhǎng)時(shí)間工作的飛行器在宇宙輻射影響下,內(nèi)部電子器件和光電器件將隨著時(shí)間延長(zhǎng)逐漸老化,性能降低的同時(shí)出現(xiàn)間歇性失靈的狀況。對(duì)于衛(wèi)星設(shè)備或是空間宇宙飛行器等高精度航天設(shè)備將產(chǎn)生致命的影響,嚴(yán)重情況下有可能造成作業(yè)失誤、脫離軌道甚至操作系統(tǒng)癱瘓、飛

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本文編號(hào)：1061406