本文關鍵詞：低能質(zhì)子在半導體材料Si和GaAs中的非電離能損

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【摘要】：分析了新型光電器件在常規(guī)空間輻射環(huán)境下,電子器件所產(chǎn)生的一系列位移型損傷及對應成因。經(jīng)多次對比實驗發(fā)現(xiàn),其位移損傷和器件失效主要由非電離能損(NIEL)所誘發(fā)。其根本損耗來源為:在低能空間狀態(tài)下,庫侖間的相互作用力將凸顯,并逐漸占據(jù)主導地位。而當前主要采用的散射微分截面法,如Mott-Rutherford型散射法,均無法有效屏蔽核外電子間存在的庫侖作用力影響,從而導致大量非電離能損產(chǎn)生。由此,文中結(jié)合非電離能損特性及成因,在解析算法基礎上結(jié)合Monte-Carlo推衍方法,以SRIM程序模擬并推算出較精確的低能質(zhì)子在半導體材料(以Si、Ga AS為例)中的NIEL數(shù)值量級,同時參照薄靶近似思想改良實驗。實驗數(shù)據(jù)規(guī)律表明,能量總值為1 ke V的低能質(zhì)子材料中NIEL評測數(shù)值量級大約為Ga As質(zhì)子材料的1/5、Summers數(shù)值量級的1/3,這一結(jié)果將為航天材質(zhì)設計和改良提供重要的參考。
【作者單位】： 三江學院;
【關鍵詞】： 低能質(zhì)子 半導體材料 NIEL非電離能損 Si、GaAs
【分類號】：TN304
【正文快照】： 現(xiàn)今航空作業(yè)當中,長時間工作的飛行器在宇宙輻射影響下,內(nèi)部電子器件和光電器件將隨著時間延長逐漸老化,性能降低的同時出現(xiàn)間歇性失靈的狀況。對于衛(wèi)星設備或是空間宇宙飛行器等高精度航天設備將產(chǎn)生致命的影響,嚴重情況下有可能造成作業(yè)失誤、脫離軌道甚至操作系統(tǒng)癱瘓、飛

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本文編號：1061406