石墨烯具有電子遷移率高、透過率高（T≈97.7%）且費米能級可調(diào)的特性。砷化鎵的電子遷移率比硅的大5到6倍。引入砷化銦量子點后,光電探測器具有低暗電流、高工作溫度、高響應(yīng)率和探測率的特點,因而可被用于制備響應(yīng)快、量子效率高和光譜寬的光電探測器。對基于InAs/GaAs量子點-石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)的肖特基結(jié)的Ⅰ-Ⅴ特性和光電響應(yīng)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,在0 V偏壓下,該器件在400 nm⁹50 nm均有響應(yīng),峰值響應(yīng)率可達(dá)0.18 A/W;在反向偏壓下,器件的峰值響應(yīng)率可達(dá)到0.45 A/W。通過對暗電流隨溫度變化的特性進(jìn)行分析,得到了InAs/GaAs量子點一石墨烯肖特基結(jié)在室溫附近以及80 K附近的勢壘高度。 

【文章來源】：紅外. 2016,37(07)

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

圖３基于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子點－石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的光電特性：?

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