本文關(guān)鍵詞：2~20GHz GaAs超寬帶雜譜抑制單片低噪聲放大器

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【摘要】：基于0.15μm GaAs PHEMT低噪聲工藝,采用二種不同的電路結(jié)構(gòu)——分布式和負反饋,研制了兩種超寬帶低噪聲放大器芯片,兩種芯片都達到了2~20GHz的超寬帶要求。兩款芯片均使用單電源+5V自偏置供電。分布式低噪聲放大器芯片的典型增益為17dB,典型噪聲系數(shù)為2.5dB,輸入駐波≤1.6,輸出駐波≤1.9,1dB增益壓縮輸出功率≥14dBm,電流≤75mA;負反饋低噪聲放大器芯片的典型增益≥20dB,典型噪聲系數(shù)≤3.0dB,輸入輸出駐波≤2.1,1dB增益壓縮輸出功率≥14dBm,電流≤60mA。用探索到的雜譜抑制理念,設計的兩種放大器在全頻帶、全溫(-55~+125℃)、大小信號輸入下均未見到雜波,成功解決了國外同類產(chǎn)品HMC462在低溫(-55℃)下存在雜散的嚴重問題。
【作者單位】： 南京電子器件研究所;
【關(guān)鍵詞】： 微波單片集成電路 超寬帶 低噪聲放大器 贗配高電子遷移率晶體管 分布式結(jié)構(gòu) 負反饋 雜波抑制
【分類號】：TN722.3
【正文快照】： 引言單片微波集成電路(MMIC)以其體積小、重量輕、一致性好、可靠性高等優(yōu)點在微波領域得到了迅速的發(fā)展。其中超寬帶低噪聲放大器MMIC作為接收機中的關(guān)鍵元器件,在通信、雷達、電子戰(zhàn)等應用領域中決定了整個接收系統(tǒng)的性能,其國產(chǎn)化的需求也日益迫切。本文利用0.15μm的GaAs

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