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231. 一種低導(dǎo)通電阻60V Trench MOSFET的設(shè)計與制造
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232. 驅(qū)動回路參數(shù)對碳化硅MOSFET開關(guān)瞬態(tài)過程的影響
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233. 基于碳化硅MOSFET變溫度參數(shù)模型的器件建模與仿真驗證
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234. 45nm MOSFET射頻小信號噪聲等效電路建模直接提取方法
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235. 1200V碳化硅MOSFET與硅IGBT器件特性對比性研究
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236. SiO 2 /SiC界面陷阱對SiC MOSFET開關(guān)損耗的影響
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237. 雜散電感對SiC MOSFET開關(guān)過程的影響分析及優(yōu)化研究
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238. 基于碳化硅MOSFET的電機驅(qū)動系統(tǒng)的電磁干擾與抑制研究
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239. 基于SiC MOSFET的高壓醫(yī)療X光機電源若干關(guān)鍵技術(shù)研究
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240. SiC MOSFET模塊特性及其三相兩電平逆變器調(diào)制策略研究
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