位于SiO₂/SiC界面處密度較高的陷阱,不僅俘獲SiC MOSFET溝道中的載流子,而且對溝道中的載流子形成散射、降低載流子的遷移率,因而嚴(yán)重影響了SiC MOSFET的開關(guān)特性。目前商業(yè)化的半導(dǎo)體器件仿真軟件中遷移率模型是基于Si器件開發(fā),不能體現(xiàn)SiO₂/SiC界面處的陷阱對溝道中載流子的散射作用。通過引入能正確反映界面陷阱對載流子作用的遷移率模型,利用半導(dǎo)體器件仿真軟件研究了界面陷阱對SiC MOSFET動態(tài)特性的影響。結(jié)果表明,隨著界面陷阱密度的增加,SiC MOSFET開通過程變慢,開通損耗增加,而關(guān)斷過程加快,關(guān)斷損耗減小;但是由于溝道載流子數(shù)量的減少、導(dǎo)通電阻的增加,總損耗是隨著界面陷阱密度的增加而增加。 

【文章來源】：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2017,37(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
引言
1 模型的建立
    1.1 遷移率模型的建立
    1.2 器件模型和電路模型的建立
2 結(jié)果及討論
3 結(jié)論



本文編號：3140326