本文選題：碳化硅MOSFET + 脈沖�。� 參考：《電工技術學報》2017年13期

【摘要】：在電力電子系統(tǒng)中,碳化硅(Si C)MOSFET的開關特性易受系統(tǒng)雜散參數(shù)的影響,表現(xiàn)為電磁能量脈沖形態(tài)屬性的非理想特性,并進一步影響系統(tǒng)效率和可靠性。針對Si C MOSFET,首先分析控制脈沖、驅動脈沖及電磁能量脈沖三者間形態(tài)屬性的關系,提取影響Si C MOSFET開關瞬態(tài)過程的關鍵參數(shù),即開關過程中的dv/dt和di/dt。基于Si C MOSFET的開關過程,分析驅動回路參數(shù)對dv/dt和di/dt的影響,并通過PSpice仿真及搭建Si C MOSFET雙脈沖測試實驗平臺進行分析和比較。在此基礎上,對基于驅動回路參數(shù)的瞬態(tài)控制方法進行對比分析,為實際應用中對Si C MOSFET的開關特性改善提供重要的理論基礎。
[Abstract]:In power electronic systems, the switching characteristics of silicon carbide (sic) MOSFET are easily affected by the stray parameters of the system, which are characterized by the non-ideal properties of electromagnetic energy pulse morphology, and further affect the efficiency and reliability of the system. Aiming at sic MOSFET, the relationship among the morphological properties of control pulse, driving pulse and electromagnetic energy pulse is analyzed firstly, and the key parameters that affect the transient process of switch, namely dv/dt and di-dt, are extracted. Based on the switching process of sic MOSFET, the influence of driving circuit parameters on dv/dt and di/dt is analyzed. On this basis, the transient control methods based on driving loop parameters are compared and analyzed, which provides an important theoretical basis for the improvement of switching characteristics of sic MOSFET in practical application.
【作者單位】： 清華大學電機系電力系統(tǒng)及發(fā)電設備安全控制和仿真國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金重大項目資助(51490680,51490683)
【分類號】：TN386

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本文編號：2087890