本文選題：Trench + MOSFET��； 參考：《上海交通大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：Trench MOSFET是基于平面型MOSFET發(fā)展起來的半導(dǎo)體功率器件,和平面型的MOSFET相比,Trench MOSFET擁有更低的導(dǎo)通電阻、更大的導(dǎo)通電流以及更快的開關(guān)速度,在電動車無刷電機(jī)應(yīng)用市場中占有一席之地。并且因為Trench MOSFET的溝道是垂直方向的,所以能進(jìn)一步的提高它的溝道密度,減小芯片尺寸。對于Trench MOSFET來講,有兩個關(guān)鍵的參數(shù):擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。擊穿電壓體現(xiàn)了器件的阻斷能力,而導(dǎo)通電阻則體現(xiàn)了器件的導(dǎo)通能力。器件導(dǎo)通電阻與芯片的面積是反比的關(guān)系,導(dǎo)通電阻的優(yōu)化,可以帶來通態(tài)功耗的降低,能源的節(jié)約,但在優(yōu)化的時候,往往伴隨著擊穿電壓的降低。本文的目的是介紹一種低導(dǎo)通電阻60V Trench MOSFET的設(shè)計與制造,設(shè)計目標(biāo)是擊穿電壓保持的情況下,導(dǎo)通電阻相比同類產(chǎn)品能夠降低10%,從而提高產(chǎn)品的競爭力。本文主要分為三大部分,第一部分是理論知識與背景研究,第二部分則是器件的設(shè)計,最后一部分介紹了器件的制造和電參數(shù)測試表,測試結(jié)果顯示我們器件的導(dǎo)通電阻做到了5.9mohm,而擊穿電壓達(dá)到了64.9V,完全滿足了預(yù)期的設(shè)計目標(biāo),達(dá)到了客戶的要求。
[Abstract]:Trench MOSFET is a semiconductor power device based on planar MOSFET. Compared with planar MOSFET, trend MOSFET has lower on-resistance, larger on-current and faster switching speed. In the electric vehicle brushless motor application market has a place. And because the channel of Trench MOSFET is vertical, it can further increase its channel density and reduce the chip size. For Trench MOSFET, there are two key parameters: breakdown voltage and on-resistance. The breakdown voltage reflects the blocking ability of the device, while the on-resistance reflects the on-ability of the device. The on-resistance of the device is inversely proportional to the area of the chip. The optimization of the on-resistance can reduce the on-state power consumption and save the energy, but in the optimization, it is often accompanied by the reduction of the breakdown voltage. The purpose of this paper is to introduce the design and manufacture of a low on-resistance 60V Trench MOSFET. The aim of the design is to reduce the on-resistance by 10% compared with the similar products, so as to improve the competitiveness of the products. This paper is mainly divided into three parts: the first part is the theoretical knowledge and background research, the second part is the design of the device, the last part introduces the fabrication of the device and the electrical parameter test table. The test results show that the on-resistance of our device is 5.9 mohm, and the breakdown voltage is 64.9 V, which fully meets the expected design objectives and meets the customer's requirements.
【學(xué)位授予單位】：上海交通大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN386

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1887144