【摘要】：搭建了輸出特性測(cè)試電路、漏電流測(cè)試電路、雙脈沖測(cè)試電路和Buck電路,對(duì)1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的輸出特性、漏電流、開(kāi)關(guān)特性和器件損耗進(jìn)行了對(duì)比研究,分析了SiC MOSFET的主要優(yōu)缺點(diǎn)。分析結(jié)果表明,SiC MOSFET在高溫條件下依然擁有穩(wěn)定的阻斷能力;在同樣的工作條件下,SiC MOSFET損耗更小,適合在高頻率、大功率場(chǎng)合下使用;SiC MOSFET的跨導(dǎo)低,導(dǎo)通電阻大,所以門極驅(qū)動(dòng)電壓需要比較大的擺幅(-5/+20 V);由于開(kāi)關(guān)速度很快,SiC MOSFET對(duì)線路雜散參數(shù)更加敏感。
[Abstract]:The output characteristic test circuit, leakage current test circuit, double pulse test circuit and Buck circuit are built. The output characteristics, leakage current, switching characteristics and device loss of 1200 V SiC MOSFET and Si IGBT are compared and studied. The main advantages and disadvantages of SiC MOSFET are analyzed. The results show that, SiC MOSFET still has stable blocking ability at high temperature, and the loss of, SiC MOSFET is smaller under the same working conditions, so it is suitable for use in high frequency and high power situations. Because of the low transconductance and large on-resistance of the SiC MOSFET, the gate driving voltage needs a large swing (- 5 / 20 V);) because the switching speed is very fast, SiC MOSFET is more sensitive to the stray parameters of the line.
【作者單位】： 北京電動(dòng)車輛協(xié)同創(chuàng)新中心;中國(guó)科學(xué)院電工研究所;中國(guó)科學(xué)院電力電子與電氣驅(qū)動(dòng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(電工研究所);
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金資助項(xiàng)目(51507166) 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃資助項(xiàng)目(863)(2015AA034501)~~
【分類號(hào)】：TN386;TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 孟金磊;寧圃奇;溫旭輝;張棟;;一種有限差分IGBT/FWD模型研究[J];電源學(xué)報(bào);2015年04期

2 汪波;胡安;唐勇;陳明;;IGBT集電極漏電流特性及影響分析[J];電力電子技術(shù);2011年10期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 李磊;寧圃奇;溫旭輝;張棟;;1200V碳化硅MOSFET與硅IGBT器件特性對(duì)比性研究[J];電源學(xué)報(bào);2016年04期

2 袁源;王耀洲;謝暢;秦海鴻;;一種新型的耐高溫碳化硅超結(jié)晶體管[J];電子器件;2015年05期

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 徐德鴻;陳文杰;何國(guó)鋒;施科研;李海津;嚴(yán)成;;新能源對(duì)電力電子提出的新課題[J];電源學(xué)報(bào);2014年06期

2 方鑫;周雒維;姚丹;杜雄;孫鵬菊;吳軍科;;IGBT模塊壽命預(yù)測(cè)模型綜述[J];電源學(xué)報(bào);2014年03期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 戚輝;劉愛(ài)華;姜春霞;閆齊齊;張達(dá);曾憲順;鄧家春;印壽根;;有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸出特性的衰變與恢復(fù)[J];光電子.激光;2011年07期

2 殷克劍;胡志強(qiáng);張延大;秦穎;楊冬雪;黃德鋒;熊小偉;;不同光強(qiáng)下染料敏化太陽(yáng)能電池輸出特性仿真[J];大連工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);2013年02期

3 鄭啟光,劉東華,李再光;光軸位置及腔鏡變形對(duì)多折腔輸出特性的影響[J];激光技術(shù);1988年03期

4 周明彪;羅斌;潘煒;;耦合垂直腔面發(fā)射激光器的閾值及輸出特性[J];半導(dǎo)體光電;2007年05期

5 梁雪梅;王燁;秦莉;李特;寧永強(qiáng);王立軍;;980nm垂直腔面發(fā)射激光器的變溫輸出特性[J];中國(guó)激光;2010年01期

6 黃梅珍,施隆照,陳鈺清,竇曉嗚;四邊形結(jié)構(gòu)PSD的輸出特性研究[J];光電子·激光;2003年07期

7 宋敏,李葉芳,項(xiàng)世法;CCD 輸出特性的實(shí)驗(yàn)研究[J];大連理工大學(xué)學(xué)報(bào);1997年S2期

8 楊軍,王世績(jī),范滇元,顧援,周關(guān)林;用光線矩陣元描述X射線激光輸出特性[J];光學(xué)學(xué)報(bào);1997年06期

9 ;三種不同陽(yáng)極結(jié)構(gòu)二維PSD的電流-位置輸出特性比較[J];中國(guó)計(jì)量學(xué)院學(xué)報(bào);2001年02期

10 王海潼;于湘珍;鞏稼民;;雙包層光纖激光器有無(wú)損耗時(shí)的輸出特性比較[J];武警工程學(xué)院學(xué)報(bào);2007年02期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 徐長(zhǎng)杰;李月恒;于文靜;康小麓;鐵軍;王曉純;;功率MOSFET并聯(lián)分流特性研究[A];中國(guó)計(jì)量協(xié)會(huì)冶金分會(huì)2008年會(huì)論文集[C];2008年

2 徐長(zhǎng)杰;李月恒;于文靜;康小麓;鐵軍;王曉純;;功率MOSFET并聯(lián)分流特性研究[A];2008全國(guó)第十三屆自動(dòng)化應(yīng)用技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2008年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前6條

1 袁海濤;一種復(fù)合多介質(zhì)層的電容式柔性三維力觸覺(jué)傳感器研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2015年

2 劉磊;垂直腔面發(fā)射激光器光輸出特性的測(cè)試研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2007年

3 溫茂森;軸流螺旋葉輪血泵輸出特性的數(shù)值分析[D];燕山大學(xué);2008年

4 康姣;染料敏化太陽(yáng)能電池的制備及輸出特性分析[D];大連工業(yè)大學(xué);2011年

5 楊杰;絕緣tanδ測(cè)量用CT和CC輸出特性實(shí)驗(yàn)研究[D];哈爾濱理工大學(xué);2014年

6 龍睿;外腔半導(dǎo)體激光器的輸出特性研究[D];曲阜師范大學(xué);2013年

，

本文編號(hào)：2467315