【摘要】：搭建了輸出特性測試電路、漏電流測試電路、雙脈沖測試電路和Buck電路,對1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的輸出特性、漏電流、開關特性和器件損耗進行了對比研究,分析了SiC MOSFET的主要優(yōu)缺點。分析結果表明,SiC MOSFET在高溫條件下依然擁有穩(wěn)定的阻斷能力;在同樣的工作條件下,SiC MOSFET損耗更小,適合在高頻率、大功率場合下使用;SiC MOSFET的跨導低,導通電阻大,所以門極驅動電壓需要比較大的擺幅(-5/+20 V);由于開關速度很快,SiC MOSFET對線路雜散參數(shù)更加敏感。
[Abstract]:The output characteristic test circuit, leakage current test circuit, double pulse test circuit and Buck circuit are built. The output characteristics, leakage current, switching characteristics and device loss of 1200 V SiC MOSFET and Si IGBT are compared and studied. The main advantages and disadvantages of SiC MOSFET are analyzed. The results show that, SiC MOSFET still has stable blocking ability at high temperature, and the loss of, SiC MOSFET is smaller under the same working conditions, so it is suitable for use in high frequency and high power situations. Because of the low transconductance and large on-resistance of the SiC MOSFET, the gate driving voltage needs a large swing (- 5 / 20 V);) because the switching speed is very fast, SiC MOSFET is more sensitive to the stray parameters of the line.
【作者單位】： 北京電動車輛協(xié)同創(chuàng)新中心;中國科學院電工研究所;中國科學院電力電子與電氣驅動重點實驗室(電工研究所);
【基金】：國家自然科學基金青年基金資助項目(51507166) 國家高技術研究發(fā)展計劃資助項目(863)(2015AA034501)~~
【分類號】：TN386;TN322.8

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：2467315