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191. 納米CMOS器件新結(jié)構(gòu)與閾值電壓模型研究
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192. CMOS光電耦合集成電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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193. 基于CMOS工藝的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)
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194. 一種抗總劑量CMOS電路基本結(jié)構(gòu)研究
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195. 全差分結(jié)構(gòu)低功耗CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
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196. 基于蒙特卡洛的CMOS電路節(jié)能設(shè)計(jì)方法
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197. 基于CMOS工藝的開關(guān)電容濾波器設(shè)計(jì)
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198. 數(shù)�；旌暇�性化器CMOS電路設(shè)計(jì)
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199. 高光電探測(cè)效率CMOS SPAD器件的研究
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200. 高性能CMOS頻率綜合器關(guān)鍵技術(shù)研究
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