本文選題：帶隙基準源 + CMOS　； 參考：《黑龍江大學》2015年碩士論文

【摘要】：基準源電路能夠為系統(tǒng)提供幾乎不受電源電壓、所用工藝參數(shù)及溫度影響的直流電壓或電流,它被廣泛應用于模擬、數(shù)字、數(shù)�；旌霞呻娐废到y(tǒng)中。帶隙基準源對電源電壓要求不高,具有良好的溫度特性、非常小的靜態(tài)工作電流,可以滿足一般集成電路的特性要求,也經(jīng)常被用于低功耗的電路系統(tǒng)中。本文基于SMIC 0.5μm CMOS工藝設計了一個帶隙基準電壓源電路,它由開啟電路、偏置電路、放大電路及基準電壓產(chǎn)生電路四部分構(gòu)成。論文利用Cadence Spectre進行仿真和驗證,并對仿真結(jié)果進行分析。仿真結(jié)果表明:帶隙基準電壓源在-50℃—100℃范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為8.11ppm/℃—56.08ppm/℃,電源電壓處于1.9V—5V這個電壓范圍時,基準源的各項性能參數(shù)均達到預期要求。最后完成了帶隙基準源版圖繪制,并進行了DRC、LVS檢測,版圖面積為7557μm2。
[Abstract]:The circuit can provide almost no power supply system, DC voltage or current with the effects of process parameters and temperature, it is widely used in analog, digital and mixed signal integrated circuit system. The bandgap reference to the supply voltage requirements is not high, with good temperature characteristics, the quiescent current is small, can meet the requirements of the general characteristics of integrated circuits, are also often used in the circuit system of low power consumption. The SMIC 0.5 m CMOS process based on the design of a bandgap voltage reference circuit, which is composed of open circuit, bias circuit, amplifier circuit and a reference voltage generating circuit using the four parts. Cadence Spectre simulation and verification, and analyze the simulation results. The simulation results show that the temperature coefficient of bandgap voltage reference in -50 C and 100 C in the range of 8.11ppm/ DEG 56.08ppm/ DEG C, power supply When the voltage is in the range of 1.9V 5V, all the performance parameters of the reference source meet the expected requirements. Finally, the layout of the bandgap reference source is completed, and DRC and LVS are detected. The layout area is 7557 m2..

【學位授予單位】：黑龍江大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN432

【參考文獻】

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1 唐共濤;劉曉;;一種簡單二階補償?shù)牡蛪簬痘鶞孰妷涸碵J];科技致富向?qū)?2014年21期

2 陸云;李嚴;董子剛;張元亭;;基于MOS技術的基準源電路研究進展[J];微電子學;2014年02期

3 劉鴻雁;;高精度CMOS帶隙基準電壓源電路設計[J];電子設計工程;2014年02期

4 李正大;解琳;佘彥武;;高性能帶隙基準源設計[J];制造業(yè)自動化;2013年24期

5 李景虎;張興寶;周斌;沙學軍;;高階分段非線性曲率校正帶隙基準源[J];華中科技大學學報(自然科學版);2013年08期

6 侯俊芳;孫濤;翟向坤;;一種二階溫度補償?shù)膸痘鶞孰妷涸碵J];科技信息;2013年06期

7 馬亞楠;陳剛;林殷茵;;一種帶有新型曲率補償?shù)膸痘鶞孰妷涸丛O計[J];復旦學報(自然科學版);2012年06期

8 尹勇生;權(quán)磊;鄧紅輝;;高性能可配置帶隙基準源的設計[J];電子測量與儀器學報;2012年12期

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10 劉云濤;魏錫盟;邵雷;;帶2階補償?shù)腃MOS帶隙基準電壓源[J];微電子學;2012年01期

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本文編號：1739527