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161. VLSI后端設計中針對CMP平坦度的DFM

162. GLSI銅互連層CMP后堿性清洗液的研究

163. pH調(diào)節(jié)劑對藍寶石襯底CMP的影響

164. 超薄不銹鋼基板CMP過程中拋光液流動特性研究

165. GLSI多層銅布線CMP后清洗BTA去除的研究

166. CMP對低k介質(zhì)材料的影響及其優(yōu)化方法研究

167. 拋光墊特性對硬質(zhì)合金刀片CMP加工效果的影響

168. 基于疊前CMP道集的Q值估計方法研究

169. 不同絡合劑與pH值對鈷CMP去除速率的影響

170. NiP超光滑表面CMP理論模型建立與工藝實驗研究