本文關(guān)鍵詞：GLSI銅互連層CMP后堿性清洗液的研究

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【摘要】：研究了銅互連層在化學機械平坦化(CMP)后表面殘余缺陷的去除機理,并采用以堿性螯合劑(FA/OⅡ型)和非離子表面活性劑(FA/OⅠ型)為主的堿性清洗液清洗其表面,然后用缺陷檢測系統(tǒng)和掃描電鏡分析清洗后的表面,以檢測不同濃度清洗液的清洗效果。其中螯合劑和活性劑對各種表面缺陷的去除有著不一樣的功效,體積分數(shù)0.02%的FA/OⅡ型螯合劑和體積分數(shù)0.04%FA/OⅠ型活性劑混合組成的復合清洗液能夠減少表面缺陷總數(shù)至724顆,使殘余缺陷總數(shù)接近工業(yè)應(yīng)用的要求。最后,通過原子力顯微鏡檢測清洗后的銅表面狀態(tài),發(fā)現(xiàn)該復合清洗液可以很好地減小拋光后銅表面的粗糙度。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電子信息工程學院;河北工業(yè)大學微電子研究所;
【關(guān)鍵詞】： 銅互連層 堿性螯合劑 表面活性劑 缺陷去除 表面粗糙度
【基金】：國家中長期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專項資助項目(2009ZX02308-003,2014ZX02301003-007) 河北省自然科學基金資助項目(F2015202267)
【分類號】：TN405.97
【正文快照】： 0引言在極大規(guī)模集成電路(GLSI)中,隨著特征尺寸的不斷減小和晶圓尺寸的增大,化學機械平坦化(CMP)成為目前實現(xiàn)全局平坦化的最有效的技術(shù)[1-2]。銅互連線在經(jīng)過CMP后,其表面的活性很高,并且在拋光液中含有納米級磨料和各種化學試劑,加之生產(chǎn)環(huán)境等人為污染,使得拋光后的的互連，

本文編號：963247