VLSI后端設(shè)計(jì)中針對(duì)CMP平坦度的DFM
本文關(guān)鍵詞：ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
《大連理工大學(xué)》 2010年
VLSI后端設(shè)計(jì)中針對(duì)CMP平坦度的DFM
張仰輝
【摘要】： 半個(gè)多世紀(jì)以來集成電路行業(yè)發(fā)展迅速,遵循著摩爾定律(Moore's Law),晶圓上晶體管的集成密度每18個(gè)月提高一倍,相應(yīng)的器件特征尺寸同步縮小為原來的0.7倍,先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)已達(dá)到65nm、45nm,甚至32nm、23nm。然而,隨著集成電路特征尺寸的不斷縮小,生產(chǎn)工藝中影響芯片性能和生產(chǎn)良率的因素越來越多,特別是進(jìn)入65nm、45nm及以后的工藝節(jié)點(diǎn),各種缺陷對(duì)成品率的影響程度愈顯突出。 理想的晶圓表面是光刻順利進(jìn)行的前提,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)是用于平坦化晶圓表面的有效工藝手段。然而,不斷降低的工藝尺寸使CMP面臨著巨大的挑戰(zhàn)。在Cu互連的達(dá)瑪森(dual damascene)工藝中,由于晶圓表面金屬密度分布不均,而金屬Cu、擴(kuò)散阻擋層和電介質(zhì)的硬度不同,造成CMP后的晶圓表面會(huì)出現(xiàn)金屬蝶形缺陷(Dishing)和電介質(zhì)侵蝕(Erosion)缺陷。這不僅會(huì)對(duì)光刻引來焦深(DOF)問題,同時(shí)也嚴(yán)重影響了導(dǎo)線的RC參數(shù),最終損害到芯片的工作新能和生產(chǎn)良率�？芍圃煨栽O(shè)計(jì)技術(shù)(DFM)是芯片設(shè)計(jì)和工藝生產(chǎn)之間溝通的橋梁,它試圖通過對(duì)后端設(shè)計(jì)中版圖的優(yōu)化來避免工藝中的缺陷,進(jìn)而提高芯片的成品率、確保芯片工作性能。 針對(duì)CMP帶來的蝶形缺陷和電介質(zhì)侵蝕缺陷,業(yè)界提出了虛擬金屬填充的DFM解決方案。目前的金屬填充方法很多,雖然基于模型的金屬填充方法是一種趨勢(shì),但該方法消耗時(shí)間太長(zhǎng),對(duì)資源占用量大,所以我們對(duì)傳統(tǒng)的基于規(guī)則的填充方法做了改進(jìn),提出了基于改進(jìn)規(guī)則的金屬填充方案并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)中對(duì)布線后版圖分別做了基于改進(jìn)規(guī)則和基于模型的虛擬金屬填充處理,通過對(duì)仿真數(shù)據(jù)的對(duì)比分析我們得出：基于改進(jìn)規(guī)則的填充方法在納米工藝節(jié)點(diǎn)下對(duì)晶圓的平坦效果毫不遜色于基于模型的填充方法,仍然具有很高實(shí)用價(jià)值。
【關(guān)鍵詞】：
【學(xué)位授予單位】：大連理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類號(hào)】：TN47
【目錄】：
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【引證文獻(xiàn)】
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5 畢云龍;自適應(yīng)聲學(xué)回聲抑制算法研究及其VLSI芯片設(shè)計(jì)[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年
6 于平平;基于VLSI實(shí)現(xiàn)的數(shù)字圖像水印技術(shù)研究[D];天津大學(xué);2010年
7 王小港;遺傳算法在VLSI設(shè)計(jì)自動(dòng)化中的應(yīng)用研究[D];中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所;2001年
8 馬上;基于余數(shù)系統(tǒng)的數(shù)字信號(hào)處理VLSI實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2009年
9 李鑫;VLSI受工藝參數(shù)擾動(dòng)影響的若干問題研究[D];南京理工大學(xué);2009年
10 王彩玲;300mm硅片化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備及其關(guān)鍵技術(shù)研究[D];大連理工大學(xué);2010年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條
1 張仰輝;VLSI后端設(shè)計(jì)中針對(duì)CMP平坦度的DFM[D];大連理工大學(xué);2010年
2 吳健;藍(lán)寶石CMP加工機(jī)理與工藝技術(shù)的研究[D];浙江工業(yè)大學(xué);2012年
3 蔣立文;基于銅薄膜的CMP微觀去除機(jī)理試驗(yàn)研究[D];太原科技大學(xué);2012年
4 姜霖;化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）對(duì)電特性影響的分析與優(yōu)化[D];復(fù)旦大學(xué);2011年
5 張濤峰;ZnO光電功能薄膜材料的CMP研究[D];天津理工大學(xué);2012年
6 易鑫;功能陶瓷精密CMP拋光工藝參數(shù)決策優(yōu)化的研究[D];湘潭大學(xué);2010年
7 張振;基于3D-MESH的CMP片上網(wǎng)絡(luò)映射方法研究[D];廣東工業(yè)大學(xué);2012年
8 董仁舉;基于CMP集群的并行編程模型的研究與應(yīng)用[D];曲阜師范大學(xué);2011年
9 武艷超;流行語“V的不是A，，是B”的CMP闡釋[D];四川外語學(xué)院;2012年
10 楊永淼;基于查找表的CMP冗余金屬填充寄生電容提取技術(shù)[D];西安電子科技大學(xué);2011年
本文關(guān)鍵詞：ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號(hào)：180513
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