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131. GaAs基VCSEL器件的ICP刻蝕工藝研究
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132. GaAs/AlGaAs二維電子系統(tǒng)的量子輸運(yùn)性質(zhì)研究
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133. 應(yīng)用于納米激光的GaAs納米線制備工藝研究
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134. 二維GaAs電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的理論研究
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135. 超快光脈沖照射GaAs晶體產(chǎn)生的干涉環(huán)
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136. GaAs單層性能的理論研究并設(shè)計(jì)新單層
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137. GaAlAs/GaAs真空光電轉(zhuǎn)換器件的轉(zhuǎn)化效率研究
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138. InGaAs/GaAs PHEMT器件模型的建立與優(yōu)化
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139. Vmp1與TP53INP2在沉默UCA1后在位內(nèi)膜細(xì)胞中表達(dá)的研究
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140. p-i-nInP/In 0.53 Ga 0.47 As/InP探測器結(jié)構(gòu)優(yōu)化
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