利用半導(dǎo)體仿真工具Silvaco對(duì)p-i-n InP/In_0.53Ga_0.47As/InP近紅外光探測(cè)器進(jìn)行優(yōu)化仿真.參考實(shí)際器件對(duì)紅外探測(cè)器進(jìn)行建模,并將其暗電流、光譜響應(yīng)仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行擬合,保證仿真結(jié)果的有效性.以減小探測(cè)器的暗電流為目的,優(yōu)化其結(jié)構(gòu).針對(duì)探測(cè)器吸收層厚度和吸收層摻雜濃度對(duì)暗電流、光響應(yīng)的影響進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)當(dāng)吸收層厚度大于0.3μm后,暗電流不再上升,但光響應(yīng)隨著吸收層厚度的增加而增大;當(dāng)吸收層摻雜濃度不斷上升時(shí),器件暗電流不斷降低,當(dāng)摻雜濃度上升到2×1017/cm3時(shí),暗電流達(dá)到最低值.本文還研究了p-i-n型探測(cè)器的瞬態(tài)響應(yīng),探究了響應(yīng)速度與反偏電壓之間的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)提高反偏電壓能減小探測(cè)器響應(yīng)時(shí)間.

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 In0.53Ga0.47As/InP p-i-n光電探測(cè)器的仿真模型與結(jié)構(gòu)
2 結(jié)果與討論
    2.1 仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的擬合
    2.2 吸收層不同摻雜濃度下的暗電流
    2.3 吸收層不同厚度下的暗電流
    2.4 不同反偏電壓下的瞬態(tài)響應(yīng)
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3775319