砷化鎵（GaAs）基材料作為第二代半導(dǎo)體的代表,具有電子遷移率高、能量轉(zhuǎn)換效率高、介電常數(shù)小等優(yōu)點(diǎn),作為制備光電子器件的材料有著無法替代的優(yōu)勢。垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）作為新型激光器,大多采用砷化鎵基材料制備,其具有閾值電流低、光束方向性好、集成度高等優(yōu)勢,在3D成像、無人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)通訊等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用�？涛g工藝在GaAs基材料制備垂直腔面發(fā)射激光器的過程中起著承上啟下的作用,對后道工序甚至器件的性能都起到關(guān)鍵的作用,所以GaAs基垂直腔面發(fā)射激光器的刻蝕工藝研究,對VCSEL器件的制備具有很大的意義。本文針對GaAs基VCSEL器件的ICP刻蝕工藝進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究。采用ULVAC公司的NE-950EXz刻蝕機(jī)對GaAs基材料進(jìn)行刻蝕,日本電子公司的JSM-7500F掃描電子顯微鏡對刻蝕圖形的微觀形貌進(jìn)行表征,研究了工藝氣體和不同設(shè)備參數(shù)對GaAs基材料刻蝕速率和圖形形貌的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Cl₂氣體流量、ICP源功率、RF偏壓功率和腔體壓強(qiáng)增加,一方面會使刻蝕速率提高,但影響速率的機(jī)制不同,另一方面會對圖形形貌產(chǎn)生一定的影響,而BCl_... 

【文章來源】：長春大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

不同波長的有源區(qū)材料

不同波長的有源區(qū)材料

（6）光柵氧化結(jié)合型VCSEL：光柵氧化結(jié)合型VCSEL是在材料表面鍍一層高折射率的膜,通過電子束光刻的方式制備成光柵結(jié)構(gòu),結(jié)合氧化工藝,制備而成,如圖1.3-f所示。光柵氧化結(jié)合型VCSEL具有高邊模抑制比和偏振抑制比,但由于光柵刻蝕精度要求高,僅為幾納米,所以對于加工工藝控制要求高。圖1.3 不同類型VCSEL結(jié)構(gòu)示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]4×15 Gbit/s 850 nm垂直腔面發(fā)射激光器列陣[J]. 呂朝晨,王青,堯舜,周廣正,于洪巖,李穎,郎陸廣,蘭天,張文甲,梁辰余,張楊,趙風(fēng)春,賈海峰,王光輝,王智勇.  光學(xué)學(xué)報(bào). 2018(05)
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碩士論文
[1]變組分AlxGa1-xAs/GaAs光電發(fā)射材料研究[D]. 江少濤.東華理工大學(xué) 2015
[2]摻雜GaAs電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的理論研究[D]. 宿磊.大連理工大學(xué) 2012
[3]半導(dǎo)體硅與砷化鎵光學(xué)性質(zhì)溫度依賴性的第一性原理研究[D]. 劉劍.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2011
[4]高壓下GaAs，GaN和MgO物性的第一性原理計(jì)算[D]. 逯來玉.四川大學(xué) 2006



本文編號：2934218