發(fā)布時(shí)間：2021-03-15 14:30

　　二維電子由于具有較低的空間維度和超高的遷移率,在低溫和垂直磁場下可呈現(xiàn)出豐富、有趣的物理現(xiàn)象。研究二維電子材料的量子輸運(yùn)性質(zhì),如零磁場附近的彈道輸運(yùn)、弱磁場下的磁-電能帶輸運(yùn)和強(qiáng)磁場下的量子霍爾態(tài)（包括整數(shù)量子霍爾態(tài)和分?jǐn)?shù)量子霍爾態(tài)）輸運(yùn)等,對揭示二維電子材料的獨(dú)特物性、探索其潛在的器件應(yīng)用等方面可起到關(guān)鍵的作用。因此,近三十多年來,二維電子材料的量子輸運(yùn)性質(zhì)研究已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理領(lǐng)域中的一個(gè)重要方向。在眾多二維電子系統(tǒng)中,GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)材料是目前實(shí)驗(yàn)室內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)的最純凈的固態(tài)電子材料,一直是凝聚態(tài)物理基礎(chǔ)研究和量子器件探索的重要平臺(tái)。本論文主要利用所在實(shí)驗(yàn)室自主生長的GaAs/AlGaAs二維電子材料制備量子器件,對它們的低溫輸運(yùn)性質(zhì)開展了較為深入的研究:首先,在第二章節(jié)中,我們研究了高遷移率GaAs/AlGaAs二維電子樣品中電子彈道輸運(yùn)的非線性特性。理論和實(shí)驗(yàn)已經(jīng)研究過,當(dāng)Hall bar的寬度w小于電子的平均自由程le,并且邊界存在漫散射時(shí),縱向電阻Rxx會(huì)在低磁場區(qū)域產(chǎn)生由于漫散射引起的電阻極大的峰,霍爾電阻RH會(huì)在零磁場附近出現(xiàn)淬火現(xiàn)象以及“最后一個(gè)平臺(tái)”現(xiàn)象... 

【文章來源】：中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院物理研究所)北京市

【文章頁數(shù)】：111 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

(a)單邊摻雜的異質(zhì)結(jié)樣品的結(jié)構(gòu)示意圖


本文編號：3084342