用飛秒脈沖激光照射砷化鎵（gallium arsenide, GaAs）晶體,透射光出現(xiàn)了多級的干涉環(huán).利用透射式Z-掃描光路,改變飛秒脈沖激光入射到GaAs晶體表面時的功率密度,觀察到干涉環(huán)有規(guī)律地收縮（或擴張）:功率密度越大,出現(xiàn)的干涉環(huán)越多,張角也越大.高強度飛秒脈沖激光的非線性效應(yīng)局部地改變了GaAs晶體的折射率,從而導(dǎo)致光程差的出現(xiàn),這是一種非線性效應(yīng)（克爾透鏡）.超快光脈沖在GaAs晶體里產(chǎn)生的克爾透鏡不能像理想的薄透鏡那樣把光束聚焦,而是讓透鏡光束形成了干涉環(huán).通過分析干涉環(huán)的變化,可以得到GaAs晶體的非線性吸收系數(shù)和非線性折射率. 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2020,69(21)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3292920