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1. 3.3kV級(jí)4H-SiC MOSFET研究
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2. 4H-SiC MOSFET器件新結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)特性研究
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3. Ti/Al/4H-SiC MOSFET歐姆接觸電極研究
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4. 4H-SiC平面型和溝槽型MOSFET高低溫下的特性（英文）
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5. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO 2 界面附近陷阱俘獲和1/f噪聲相關(guān)性研究
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6. 4H-SiC歐姆接觸研究及其應(yīng)用
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7. 半絕緣4H-SiC光導(dǎo)開關(guān)研究
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8. 4H-SiC功率BJT器件特性研究
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9. 4H-SiC納米結(jié)構(gòu)調(diào)制及應(yīng)用研究
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10. 4H-SiC MESFET特性對(duì)比及仿真
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