低壓差線性穩(wěn)壓器(Low-Dropout regulators,LDO)具有低功耗、低噪聲、結構簡單等特點,已廣泛應用于航天領域。因而,要求LDO能夠在輻照環(huán)境中提供穩(wěn)定的電源。在輻照環(huán)境中,當來自環(huán)境中的高能粒子轟擊低壓差線性穩(wěn)壓器的時候,在低壓差線性穩(wěn)壓的敏感節(jié)點處,受到高能粒子的轟擊,會使得低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓陡然發(fā)生擾動,偏離設定的電壓值,將導致電路系統(tǒng)無法正常工作�；诖�,本文采用SMIC 0.18μm CMOS工藝設計一種具有輻照加固低壓差線性穩(wěn)壓器,本文的主要研究內容包括三點。首先,在分析傳統(tǒng)帶隙基準電路(Bandgap Reference,BGR)的基本原理基礎上,采用MOS二極管技術設計了一種低功耗帶隙基準電路。仿真結果顯示,所設計的帶隙基準電路溫度系數(shù)為9ppm/℃,電源抑制比達到-96dB@1KHz。其次,在分析經典三級放大器頻率補償結構基礎上,采用阻尼控制頻率補償(Damping Factor Control Frequency Compensation,DFCFC)與品質因數(shù)減小(Q-reduction)相結合的頻率補償技術設計了一種DFCFC&...

【文章頁數(shù)】：103 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖3.4一階折疊式共源共柵運算放大器的頻率特性曲線

電大學碩士學位論文第3章LDO中帶隙基準電，gm2、gm6及gm8分別為MOS管M2、M6及M8的跨導，ro2、ro4、別為MOS管M2、M4、M6、M8及M10的溝道電阻。電源電壓1.8V，在SMIC0.18μm的CMOS工藝下用Cad....

圖3.7低壓一階帶隙溫度系數(shù)理論分析中，優(yōu)化后的帶隙基準電壓可以得到與溫度無關的帶隙基準電壓，

慶郵電大學碩士學位論文第3章LDO中帶隙基準電路的設計中，I4具有正溫度系數(shù)，I5具有負溫度系數(shù)，通過調節(jié)電阻R4、R5的值，可流I3為零溫度系數(shù)電流。輸出基準電壓refV為：136645lnQEBrefVkTVIRnRqRR....

圖3.9VEB線性化補償帶隙基準的溫度特性曲線

圖3.9VEB線性化補償帶隙基準的溫度特性曲線文采用SMIC0.18μm的CMOS工藝及Cadencespectre工具對VEB基準圖3.8電路的溫度特性進行仿真驗證，得到圖3.9所示的仿真表明，當溫度在-40℃~125℃范圍內，溫度系數(shù)為2.1....

圖3.13低溫補償電流仿真結果

學碩士學位論文第3章LDO中帶隙基準電仿真結果分析基于SMIC0.18μmCMOS工藝，仿真驗證工具CadenceSpectre低壓低溫度系數(shù)高階帶隙基準電路進行仿真驗證。

本文編號：3916448