質(zhì)量成本包括預防成本、鑒定成本、內(nèi)部損失成本和外部損失成本等內(nèi)容,通過數(shù)據(jù)分析討論減少硅外延電阻率測試頻次的可行性。經(jīng)分析發(fā)現(xiàn),在LPE3061D外延爐批量生產(chǎn)硅外延片的過程中,摻雜效率穩(wěn)定,產(chǎn)品在正常生產(chǎn)過程中,整批次的摻雜劑用量調(diào)節(jié)幅度相對較小,由其引起的電阻率變化不會大幅度超出控制線。以此為依據(jù)將測試頻次由每24片測試1片更改為每48片測試1片,按產(chǎn)量統(tǒng)計每年可節(jié)省約4 000片硅拋光片,降低鑒定成本約40萬元,并且提高了硅外延片出片率。
【部分圖文】：

沉積硅外延設(shè)備為意大利洛佩詩(LPE)公司生產(chǎn)的PE-LPE3061D平板式硅外延爐，基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。該硅外延爐采用高頻感應(yīng)加熱方式，具有維護簡單，生產(chǎn)效率高的特點，是目前各硅外延制造企業(yè)主流的6～8 in(in=25.4 mm，下同)硅外延片的生產(chǎn)設(shè)備。此設(shè)備為單圈平板爐，每爐殼生產(chǎn)6 in產(chǎn)品8片。1.2 硅外延工藝

如圖3所示，10μm厚度規(guī)格產(chǎn)品與5μm厚度規(guī)格產(chǎn)品雷同，35批生產(chǎn)中摻雜劑用量變化<2 sccm的批次占97%，對應(yīng)的電阻率變化為0.055?·cm，該產(chǎn)品電阻率檢驗容限范圍是0.1?·cm，電阻率調(diào)節(jié)幅度小于管控范圍；另外，摻雜劑用量變化超過2 sccm的只有1次占3%，其值為2.63 sccm，這次調(diào)節(jié)是由于測試設(shè)備不穩(wěn)造成的調(diào)節(jié)幅度過大，而非外延爐摻雜效率不穩(wěn)。圖3 10μm厚度規(guī)格摻雜劑用量變化統(tǒng)計圖

10μm厚度規(guī)格摻雜劑用量變化統(tǒng)計圖
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