無框架立體定向海馬杏仁核毀損術(shù)治療顳葉內(nèi)側(cè)癲癇病例回顧分析
發(fā)布時(shí)間:2021-07-31 04:46
目的:從MRI陰性癲癇患者、MRI陽性癲癇患者,雙顳葉癲癇患者三個(gè)不同角度評(píng)估無框架立體定向海馬杏仁核毀損術(shù)治療顳葉內(nèi)側(cè)癲癇病例的療效及其對(duì)智力及記憶力的影響。方法:對(duì)2006年2月至2011年7月期間進(jìn)行無框架立體定向海馬杏仁復(fù)合體毀損術(shù)的顳葉內(nèi)側(cè)癲癇患者的病例資料進(jìn)行系統(tǒng)性總結(jié)及回訪,對(duì)獲訪患者進(jìn)行Engel分級(jí)評(píng)定,計(jì)算總體癲癇發(fā)作消失率。1.根據(jù)術(shù)前MRI表現(xiàn)分為MRI陽性組與MRI陰性組,計(jì)算兩組患者癇性發(fā)作消失率、顯效率、有效率及無效率,并對(duì)其間差異分別作統(tǒng)計(jì)學(xué)分析;2.對(duì)病例資料中具備完善的韋氏記憶量表(WMS-RC)及韋氏智力量表(WAIS-RC)檢測(cè)評(píng)分資料的患者分別比較術(shù)前、術(shù)后1周及術(shù)后6個(gè)月之間總智商、語言智商、操作智商及記憶商數(shù)的統(tǒng)計(jì)差異,并進(jìn)一步細(xì)分為左側(cè)毀損組和右側(cè)毀損組進(jìn)行比較;3.對(duì)雙顳葉內(nèi)側(cè)毀損者進(jìn)行單獨(dú)的Engel分級(jí)評(píng)定、術(shù)前術(shù)后利物浦發(fā)作嚴(yán)重程度評(píng)分(LSSS)對(duì)比和韋氏記憶及智力評(píng)分對(duì)比。結(jié)果:共收集經(jīng)歷無框架立體定向海馬杏仁復(fù)合體毀損術(shù)的267例顳葉內(nèi)側(cè)癲癇患者的病例資料,131例患者獲訪,隨訪期12~77個(gè)月不等,其中Engel分級(jí)Ⅰ級(jí)3...
【文章來源】:中國人民解放軍海軍軍醫(yī)大學(xué)上海市 211工程院校
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
CAS-R-2型無框架腦立體定向儀
右側(cè)海馬杏仁復(fù)合體毀損 58 例,12 例患者進(jìn)行雙側(cè)海馬杏仁復(fù)合體毀損(圖2d)。圖 2 不同毀損靶點(diǎn)的 MRI 表現(xiàn)3、入路選擇對(duì)于術(shù)前檢查提示癇性放電以顳葉前部或額顳為主的 110 例病人采用經(jīng)額入路;癇性放電以顳后或顳頂枕為主的 21 例采用經(jīng)頂后入路。
進(jìn)行人工標(biāo)志點(diǎn)注冊(cè),驗(yàn)證靶點(diǎn)及手術(shù)路徑選擇的可行當(dāng)調(diào)整手術(shù)路徑及靶點(diǎn)。手術(shù)均采用全身麻醉(禁用苯二氮卓類藥物)狀態(tài)下皮膚小切口鉆顱,穿刺針刺破硬腦膜。5、深部電極檢測(cè)施熱凝前,導(dǎo)入射頻電極,通過測(cè)量電阻值及電刺激檢查確定靶入 6~8 導(dǎo)深部腦電記錄電極(12 歲以下病人采用 5 mm 間距電用 10 mm 間距電極,圖 3)。首先將深部腦電記錄電極放至大腦皮皮質(zhì)放電情況,然后可將深部腦電記錄電極頂端深入靶下直至顱聯(lián)癇性放電情況,并可上下移動(dòng),確定致癇灶的具體范圍。在深測(cè)到棘波發(fā)放的區(qū)域置入射頻電極(圖 4),對(duì)相應(yīng)部位行電刺激區(qū)域的安全性,確定毀損范圍。
本文編號(hào):3312796
【文章來源】:中國人民解放軍海軍軍醫(yī)大學(xué)上海市 211工程院校
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
CAS-R-2型無框架腦立體定向儀
右側(cè)海馬杏仁復(fù)合體毀損 58 例,12 例患者進(jìn)行雙側(cè)海馬杏仁復(fù)合體毀損(圖2d)。圖 2 不同毀損靶點(diǎn)的 MRI 表現(xiàn)3、入路選擇對(duì)于術(shù)前檢查提示癇性放電以顳葉前部或額顳為主的 110 例病人采用經(jīng)額入路;癇性放電以顳后或顳頂枕為主的 21 例采用經(jīng)頂后入路。
進(jìn)行人工標(biāo)志點(diǎn)注冊(cè),驗(yàn)證靶點(diǎn)及手術(shù)路徑選擇的可行當(dāng)調(diào)整手術(shù)路徑及靶點(diǎn)。手術(shù)均采用全身麻醉(禁用苯二氮卓類藥物)狀態(tài)下皮膚小切口鉆顱,穿刺針刺破硬腦膜。5、深部電極檢測(cè)施熱凝前,導(dǎo)入射頻電極,通過測(cè)量電阻值及電刺激檢查確定靶入 6~8 導(dǎo)深部腦電記錄電極(12 歲以下病人采用 5 mm 間距電用 10 mm 間距電極,圖 3)。首先將深部腦電記錄電極放至大腦皮皮質(zhì)放電情況,然后可將深部腦電記錄電極頂端深入靶下直至顱聯(lián)癇性放電情況,并可上下移動(dòng),確定致癇灶的具體范圍。在深測(cè)到棘波發(fā)放的區(qū)域置入射頻電極(圖 4),對(duì)相應(yīng)部位行電刺激區(qū)域的安全性,確定毀損范圍。
本文編號(hào):3312796
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