用于腦膠質瘤檢測的太赫茲時域近場掃描顯微鏡
【圖文】:
圖 1.1 孔徑法近場示意圖射法實現近場成像的基本思想是,,如圖 1.2 所示,利用曲率半徑遠小于端接近樣品表面,當太赫茲波照射到導體尖端時,導體尖端的電荷侖力的作用與太赫茲電場同頻率運動。由于針尖效應,會有多數電體尖端電場被局域增強。由于導體尖端局域增強電場的作用,其下體尖端電量相等、電性相反的電荷,與導體尖端的電荷構成等效偶不變而電量與太赫茲電場同頻率變化,因此會產生同頻率的太赫茲波。在針尖性質確定的情況下,散射太赫茲波只與針尖下方局部的以通過對散射太赫茲波的測量實現小于太赫茲波波長的空間分辨率體針尖也可以有其他等效形式,比如被激光激發(fā)的半導體針尖,這激光調控半導體針尖的電導率來調制散射太赫茲波進行鎖相測量。
圖 1.1 (c)中太赫茲波調制深度小等。圖 1.1 孔徑法近場示意圖1.2.2 散射法散射法實現近場成像的基本思想是,如圖 1.2 所示,利用曲率半徑遠小于太赫茲波波長的導體尖端接近樣品表面,當太赫茲波照射到導體尖端時,導體尖端的電荷在太赫茲電場中受到庫侖力的作用與太赫茲電場同頻率運動。由于針尖效應,會有多數電荷積累到導體尖端,導體尖端電場被局域增強。由于導體尖端局域增強電場的作用,其下方的樣品中會存在與導體尖端電量相等、電性相反的電荷,與導體尖端的電荷構成等效偶極子。等效偶極子間距不變而電量與太赫茲電場同頻率變化,因此會產生同頻率的太赫茲輻射,稱為散射太赫茲波。在針尖性質確定的情況下,散射太赫茲波只與針尖下方局部的樣品性質有關,所以可以通過對散射太赫茲波的測量實現小于太赫茲波波長的空間分辨率[32-39]。此處導體針尖也可以有其他等效形式,比如被激光激發(fā)的半導體針尖,這樣做的好處是可以通過激光調控半導體針尖的電導率來調制散射太赫茲波進行鎖相測量。圖 1.2 散射法近場示意圖這種方式最大的難點在于,散射太赫茲波的能量太弱,背景噪聲強,測量難度非常大。
【學位授予單位】:吉林大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:R739.4;O441
【相似文獻】
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本文編號:2594075
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