目的：研制內(nèi)連接氧化鋯基臺并對其相關(guān)機(jī)械性能進(jìn)行檢測。 方法：選擇納米級氧化鋯粉,采用注射成型工藝制作氧化鋯基臺。(1)選取氧化鋯基臺和Osstem GSⅡ成品鈦基臺各10枚,分別與Osstem GSⅡ種植體裝配,用線切割機(jī)順延種植體長軸將種植體一分為二,用掃描電鏡測量基臺-種植體連接界面的微間隙；(2)選取氧化鋯基臺和Osstem GSⅡ成品鈦基臺各20枚,隨機(jī)分為4組,每組氧化鋯基臺和鈦金屬基臺各5枚。隨機(jī)選取其中三組與Osstem GSⅡ種植體裝配,組成基臺-種植體裝配組,為模擬口腔內(nèi)前、后牙的不同受力情況,將基臺-種植體裝配組按加力角度不同分為：①將加力壓頭與基臺組件長軸成30°角設(shè)為A組；②將加力壓頭與基臺組件長軸成90°角(垂直)設(shè)為B組；③將加力壓頭與基臺組件長軸成0°角(平行)設(shè)為C組,本別對其進(jìn)行加載實驗(加載速度為0.5mm/min),比較氧化鋯和鈦兩種基臺的抗折(壓)強(qiáng)度。將最后一組設(shè)為單獨(dú)基臺組(D組),選擇與基臺長軸成0°角(平行)加力方式單獨(dú)對基臺進(jìn)行加載(加載速度為0.5mm/min),測試并比較氧化鋯和鈦兩種基臺的抗壓強(qiáng)度。 結(jié)果：制得的內(nèi)連接氧化鋯基臺形態(tài)良好,與種植體裝配順利。(1)氧化鋯基臺-種植體連接界面的內(nèi)部六角處微間隙為16.90±0.86μm；鈦基臺-種植體連接界面的內(nèi)部六角處微間隙為11.76±0.50μm,兩種材料基臺之間差異具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)。氧化鋯基臺-種植體連接后界面摩爾氏錐度處的微間隙最小為5.45±0.68μm、最大為33.85±2.98μm；鈦基臺-種植體連接界面摩爾氏錐度處的微間隙最小為4.94±0.66μm、最大為9.63±0.94μm,摩爾氏錐度連接處最小微間隙的差別無統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)；摩爾氏錐度處最大微間隙的差別具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)。(2)氧化鋯基臺與鈦金屬基臺的抗折(壓)強(qiáng)度：基臺-種植體裝配A組(30°角)的抗折強(qiáng)度(氧化鋯基臺與鈦基臺)分別為434.66±36.07N、1073.12±73.96N,兩者比較有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)；B組(90°角)的抗折強(qiáng)度(氧化鋯基臺與鈦基臺)分別為301.46±15.38N、736.36±120.10N,兩者比較有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)；C組(0°角),當(dāng)實驗中加載力值達(dá)1300N-2000N時組件中的種植體發(fā)生了“S”型彎曲,而氧化鋯和鈦基臺部分均未發(fā)生任何形式的損壞。單獨(dú)基臺D組的抗壓強(qiáng)度(氧化鋯基臺與鈦基臺)分別為2882.28±164.37N、1934.14±89.30N,兩者比較有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)。 結(jié)論：采用納米級氧化鋯粉經(jīng)注射成型工藝制作的內(nèi)連接氧化鋯基臺能與種植體順利裝配,其基臺-種植體連接界面的適合性和多角度負(fù)載下的抗折(壓)強(qiáng)度均可以滿足臨床應(yīng)用要求。
【學(xué)位單位】：青島大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位年份】：2011
【中圖分類】：R783.6
【部分圖文】：

圖l內(nèi)連接氧化錯基臺(左鋇目視圖;右一底視圖)基臺一種植體連接界面適合性的測定面適合性代表基臺與種植體連接間隙的大小，它是作為種植系統(tǒng)機(jī)械精要指標(biāo)，同時對種植體周圍組織和種植成敗起著重要作用。

圖3基臺一種植體連接處橫剖面示意圖圖4基臺一種植體連接界面的微間隙示意圖(1)種植體切割:選取5枚OSStem一GSH種植體，置于不銹鋼夾具中，然后將夾具連同種植體一起固定于線切割機(jī)床的操作臺上(如圖5)，線切割絲按如圖3中AB所示位置設(shè)定。將5枚種植體延其長軸方向平均切成兩部分，即可得到10枚半切種植體，并將切割后的種植體清洗后備用(如圖6左)。圖5種植體切割過程(左:切割前切割絲位置;右:種植體切割中)圖6半切后種植體(左:單獨(dú)的半切種植體;右:安裝基臺后的半切種植體組件)

連同種植體一起固定于線切割機(jī)床的操作臺上(如圖5)，線切割絲按如圖3中AB所示位置設(shè)定。將5枚種植體延其長軸方向平均切成兩部分，即可得到10枚半切種植體，并將切割后的種植體清洗后備用(如圖6左)。圖5種植體切割過程(左:切割前切割絲位置;右:種植體切割中)圖6半切后種植體(左:單獨(dú)的半切種植體;右:安裝基臺后的半切種植體組件)

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：2813812