目的：研制內(nèi)連接氧化鋯基臺(tái)并對(duì)其相關(guān)機(jī)械性能進(jìn)行檢測(cè)。 方法：選擇納米級(jí)氧化鋯粉,采用注射成型工藝制作氧化鋯基臺(tái)。(1)選取氧化鋯基臺(tái)和Osstem GSⅡ成品鈦基臺(tái)各10枚,分別與Osstem GSⅡ種植體裝配,用線切割機(jī)順延種植體長(zhǎng)軸將種植體一分為二,用掃描電鏡測(cè)量基臺(tái)-種植體連接界面的微間隙；(2)選取氧化鋯基臺(tái)和Osstem GSⅡ成品鈦基臺(tái)各20枚,隨機(jī)分為4組,每組氧化鋯基臺(tái)和鈦金屬基臺(tái)各5枚。隨機(jī)選取其中三組與Osstem GSⅡ種植體裝配,組成基臺(tái)-種植體裝配組,為模擬口腔內(nèi)前、后牙的不同受力情況,將基臺(tái)-種植體裝配組按加力角度不同分為：①將加力壓頭與基臺(tái)組件長(zhǎng)軸成30°角設(shè)為A組；②將加力壓頭與基臺(tái)組件長(zhǎng)軸成90°角(垂直)設(shè)為B組；③將加力壓頭與基臺(tái)組件長(zhǎng)軸成0°角(平行)設(shè)為C組,本別對(duì)其進(jìn)行加載實(shí)驗(yàn)(加載速度為0.5mm/min),比較氧化鋯和鈦兩種基臺(tái)的抗折(壓)強(qiáng)度。將最后一組設(shè)為單獨(dú)基臺(tái)組(D組),選擇與基臺(tái)長(zhǎng)軸成0°角(平行)加力方式單獨(dú)對(duì)基臺(tái)進(jìn)行加載(加載速度為0.5mm/min),測(cè)試并比較氧化鋯和鈦兩種基臺(tái)的抗壓強(qiáng)度。 結(jié)果：制得的內(nèi)連接氧化鋯基臺(tái)形態(tài)良好,與種植體裝配順利。(1)氧化鋯基臺(tái)-種植體連接界面的內(nèi)部六角處微間隙為16.90±0.86μm；鈦基臺(tái)-種植體連接界面的內(nèi)部六角處微間隙為11.76±0.50μm,兩種材料基臺(tái)之間差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)。氧化鋯基臺(tái)-種植體連接后界面摩爾氏錐度處的微間隙最小為5.45±0.68μm、最大為33.85±2.98μm；鈦基臺(tái)-種植體連接界面摩爾氏錐度處的微間隙最小為4.94±0.66μm、最大為9.63±0.94μm,摩爾氏錐度連接處最小微間隙的差別無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)；摩爾氏錐度處最大微間隙的差別具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)。(2)氧化鋯基臺(tái)與鈦金屬基臺(tái)的抗折(壓)強(qiáng)度：基臺(tái)-種植體裝配A組(30°角)的抗折強(qiáng)度(氧化鋯基臺(tái)與鈦基臺(tái))分別為434.66±36.07N、1073.12±73.96N,兩者比較有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)；B組(90°角)的抗折強(qiáng)度(氧化鋯基臺(tái)與鈦基臺(tái))分別為301.46±15.38N、736.36±120.10N,兩者比較有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)；C組(0°角),當(dāng)實(shí)驗(yàn)中加載力值達(dá)1300N-2000N時(shí)組件中的種植體發(fā)生了“S”型彎曲,而氧化鋯和鈦基臺(tái)部分均未發(fā)生任何形式的損壞。單獨(dú)基臺(tái)D組的抗壓強(qiáng)度(氧化鋯基臺(tái)與鈦基臺(tái))分別為2882.28±164.37N、1934.14±89.30N,兩者比較有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)。 結(jié)論：采用納米級(jí)氧化鋯粉經(jīng)注射成型工藝制作的內(nèi)連接氧化鋯基臺(tái)能與種植體順利裝配,其基臺(tái)-種植體連接界面的適合性和多角度負(fù)載下的抗折(壓)強(qiáng)度均可以滿足臨床應(yīng)用要求。
【學(xué)位單位】：青島大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位年份】：2011
【中圖分類】：R783.6
【部分圖文】：

圖l內(nèi)連接氧化錯(cuò)基臺(tái)(左鋇目視圖;右一底視圖)基臺(tái)一種植體連接界面適合性的測(cè)定面適合性代表基臺(tái)與種植體連接間隙的大小，它是作為種植系統(tǒng)機(jī)械精要指標(biāo)，同時(shí)對(duì)種植體周圍組織和種植成敗起著重要作用。

圖3基臺(tái)一種植體連接處橫剖面示意圖圖4基臺(tái)一種植體連接界面的微間隙示意圖(1)種植體切割:選取5枚OSStem一GSH種植體，置于不銹鋼夾具中，然后將夾具連同種植體一起固定于線切割機(jī)床的操作臺(tái)上(如圖5)，線切割絲按如圖3中AB所示位置設(shè)定。將5枚種植體延其長(zhǎng)軸方向平均切成兩部分，即可得到10枚半切種植體，并將切割后的種植體清洗后備用(如圖6左)。圖5種植體切割過程(左:切割前切割絲位置;右:種植體切割中)圖6半切后種植體(左:單獨(dú)的半切種植體;右:安裝基臺(tái)后的半切種植體組件)

連同種植體一起固定于線切割機(jī)床的操作臺(tái)上(如圖5)，線切割絲按如圖3中AB所示位置設(shè)定。將5枚種植體延其長(zhǎng)軸方向平均切成兩部分，即可得到10枚半切種植體，并將切割后的種植體清洗后備用(如圖6左)。圖5種植體切割過程(左:切割前切割絲位置;右:種植體切割中)圖6半切后種植體(左:單獨(dú)的半切種植體;右:安裝基臺(tái)后的半切種植體組件)

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2813812