氧化鋯基臺(tái)的研制及機(jī)械性能檢測(cè)
【圖文】:
時(shí)J恒溫2小時(shí),待爐溫自然冷卻至室溫,取出氧化錯(cuò)基臺(tái)。(7)精修完成:按照?qǐng)D紙要求對(duì)二次燒結(jié)后的氧化錯(cuò)基臺(tái)進(jìn)行精修,完成氧化錯(cuò)基臺(tái)制作(圖1)。圖1氧化錯(cuò)基臺(tái)(左一側(cè)視圖;右一底視圖)3.2基臺(tái)表面粗糙度的測(cè)定在放大鏡下選取表面未開(kāi)裂的氧化錯(cuò)基臺(tái)10枚組成氧化錯(cuò)基臺(tái)組,另取10枚欽基臺(tái)組成欽基臺(tái)組,分別置于95%乙醇中超聲清洗10分鐘,蒸餾水流水沖洗3分鐘,晾干。用精密粗糙度測(cè)試儀分別測(cè)量氧化錯(cuò)基臺(tái)、欽基臺(tái)的表面粗糙度。取樣長(zhǎng)度為0.Sllnll,評(píng)定長(zhǎng)度為4.Olnm,前進(jìn)速度為0.snlln/min。每個(gè)樣本隨機(jī)選擇三處進(jìn)行測(cè)量Ra值、Rz值,取平均值記錄。3.3基臺(tái)一種植體連接界面適合性的測(cè)定所謂適合性是指基臺(tái)與種植體之間微間隙的大小
(l)基臺(tái)一種植體連接界面邊緣微間隙的測(cè)量:取20枚種植體隨機(jī)均分為兩組,其中10枚與氧化錯(cuò)基臺(tái)進(jìn)行裝配,組成氧化錯(cuò)基臺(tái)組,另外10枚與欽基臺(tái)裝配組成欽基臺(tái)組;基臺(tái)與種植體均用中央固位螺絲固定,,扭矩為3ONcm(如圖2)。按照時(shí)鐘的3、6、9、12點(diǎn)對(duì)兩實(shí)驗(yàn)組基臺(tái)一種植體連接界面邊緣間隙處進(jìn)行定點(diǎn)(如圖4)。用掃描電鏡放大5000倍分別測(cè)定所標(biāo)記的3、6、9、12點(diǎn)等4個(gè)點(diǎn)處的微間隙大小,每個(gè)點(diǎn)測(cè)量3次,取平均值記錄。(2)基臺(tái)一種植體連接界面內(nèi)部微間隙的測(cè)量:將上步組裝的基臺(tái)和種植體分離。按照定點(diǎn)位置,用掃描電鏡放大20倍測(cè)量基臺(tái)六角的對(duì)角線長(zhǎng)度L基臺(tái)和相對(duì)應(yīng)的種植體六角的對(duì)角線長(zhǎng)度L種植體(即圖4中L人B、蝙、L二、與L;IBI、Lcl。,、L:,F(xiàn),),每條對(duì)角線的長(zhǎng)度測(cè)量三次
【學(xué)位授予單位】:青島大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2010
【分類號(hào)】:R783
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本文編號(hào):2653555
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