【摘要】： 目的：研制氧化鋯基臺并對其機械性能進行初步檢測。 方法：選用納米氧化鋯粉,采用冷等靜壓成型方法和二次燒結工藝制作氧化鋯基臺。(1)分別取10枚氧化鋯基臺和鈦基臺測量其表面粗糙度Ra、Rz值；(2)分別取10枚氧化鋯基臺和鈦基臺與Osstem USⅡ種植體裝配組成氧化鋯基臺組與鈦基臺組,用掃描電鏡測量兩組基臺-種植體連接界面的微間隙；(3)各取5枚氧化鋯基臺和鈦基臺組成氧化鋯基臺組與鈦基臺組,分別將基臺與Osstem USⅡ種植體裝配,置于不銹鋼夾具中,用與基臺長軸垂直的力對基臺進行加載測量其抗折強度(加載速度0.5mm/min)。 結果：制得的氧化鋯基臺形態(tài)良好。(1)氧化鋯基臺組的表面粗糙度Ra、Rz值為0.108±0.026μm、1.058±0.227μm，鈦基臺組的表面粗糙度Ra、Rz值為0.131±0.037μm、1.157±0.268μm；兩組間差別均無統(tǒng)計學意義(P0.05)。(2)氧化鋯基臺-種植體連接界面的邊緣微間隙為3.01±0.64μm、內部微間隙為28.5±1.6μm,鈦基臺-種植體連接界面的邊緣微間隙為2.71±0.42μm、內部微間隙為23.9±1.4μm；兩組間差別均有統(tǒng)計學意義(P0.05)。(3)氧化鋯基臺組與鈦基臺組的抗折強度分別為537.6±90.0N、753.9±160.8N,兩組間差別具有統(tǒng)計學意義(P0.05)。 結論：在本實驗條件下,采用納米氧化鋯粉經(jīng)冷等靜壓成型和二次燒結工藝制作的氧化鋯基臺的表面粗糙度、基臺-種植體連接界面的適合性、抗折強度達到了臨床應用的要求。
【圖文】：

時J恒溫2小時，待爐溫自然冷卻至室溫，取出氧化錯基臺。(7)精修完成:按照圖紙要求對二次燒結后的氧化錯基臺進行精修，完成氧化錯基臺制作(圖1)。圖1氧化錯基臺(左一側視圖;右一底視圖)3.2基臺表面粗糙度的測定在放大鏡下選取表面未開裂的氧化錯基臺10枚組成氧化錯基臺組，另取10枚欽基臺組成欽基臺組，分別置于95%乙醇中超聲清洗10分鐘，蒸餾水流水沖洗3分鐘，晾干。用精密粗糙度測試儀分別測量氧化錯基臺、欽基臺的表面粗糙度。取樣長度為0.Sllnll，評定長度為4.Olnm，前進速度為0.snlln/min。每個樣本隨機選擇三處進行測量Ra值、Rz值，取平均值記錄。3.3基臺一種植體連接界面適合性的測定所謂適合性是指基臺與種植體之間微間隙的大小

(l)基臺一種植體連接界面邊緣微間隙的測量:取20枚種植體隨機均分為兩組，其中10枚與氧化錯基臺進行裝配，組成氧化錯基臺組，另外10枚與欽基臺裝配組成欽基臺組;基臺與種植體均用中央固位螺絲固定，，扭矩為3ONcm(如圖2)。按照時鐘的3、6、9、12點對兩實驗組基臺一種植體連接界面邊緣間隙處進行定點(如圖4)。用掃描電鏡放大5000倍分別測定所標記的3、6、9、12點等4個點處的微間隙大小，每個點測量3次，取平均值記錄。(2)基臺一種植體連接界面內部微間隙的測量:將上步組裝的基臺和種植體分離。按照定點位置，用掃描電鏡放大20倍測量基臺六角的對角線長度L基臺和相對應的種植體六角的對角線長度L種植體(即圖4中L人B、蝙、L二、與L;IBI、Lcl。，、L:，F(xiàn)，)，每條對角線的長度測量三次
【學位授予單位】：青島大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2010
【分類號】：R783

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本文編號：2653555