電針百會(huì)、四神聰對(duì)MCAO模型大鼠Nogo-A、CaMKⅡ表達(dá)及學(xué)習(xí)記憶能力的影響
本文關(guān)鍵詞:電針百會(huì)、四神聰對(duì)MCAO模型大鼠Nogo-A、CaMKⅡ表達(dá)及學(xué)習(xí)記憶能力的影響,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:目的:本實(shí)驗(yàn)通過制做大腦中動(dòng)脈閉塞腦梗死(middle cerebral artery occlusion,MCAO)大鼠模型模擬腦卒中后認(rèn)知功能障礙(post stroke cognitive impairment,PSCI),觀察電針百會(huì)、四神聰穴對(duì)MCAO模型大鼠Morris水迷宮(Morris water maze,MWM)測(cè)試成績(jī)及海馬區(qū)Nogo-A、CaMKⅡ蛋白表達(dá)的影響,從宏觀行為到微觀細(xì)胞和分子等多水平上探討電針治療PSCI學(xué)習(xí)記憶障礙可能的作用機(jī)制,并為針灸治療PSCI提供理論和實(shí)踐依據(jù)。方法:(1)對(duì)象篩選及分組:用MWM實(shí)驗(yàn)篩選出84只無學(xué)習(xí)記憶障礙大鼠;隨機(jī)分為正常組(n=12)、模型組(n=24)、假針刺組(n=24)、電針組(n=24),4組又隨機(jī)分為1d、7d、14d和28d共4個(gè)時(shí)點(diǎn)進(jìn)行觀察的4個(gè)亞組;除正常組外的3組大鼠均采用照改進(jìn)后的Longa方法制作左側(cè)MCAO模型;評(píng)價(jià)后造模成功的大鼠納入試驗(yàn),不成功者剔除并補(bǔ)組。(2)干預(yù)措施:正常組及模型組常規(guī)喂養(yǎng),不給予任何處理,但在其它組實(shí)驗(yàn)時(shí)同等條件抓取;電針組給予針刺并加電針;假針刺組針灸針固定于穴位外而不刺入;針刺選穴“百會(huì)”、“四神聰”。(3)觀察指標(biāo):除MWM實(shí)驗(yàn)在造模后第7d、14d、28d進(jìn)行外,余各項(xiàng)指標(biāo)的觀察均在第1d、7d、14d、28d共4個(gè)時(shí)點(diǎn)進(jìn)行。①大鼠行為學(xué)MWM實(shí)驗(yàn),包括定位航行試驗(yàn)及空間探索試驗(yàn);②水迷宮試驗(yàn)后取材進(jìn)行he染色觀察大鼠海馬腦組織病理學(xué)變化;③采用免疫組化檢測(cè)腦梗側(cè)海馬區(qū)nogo-a的表達(dá);④采用免疫組化檢測(cè)腦梗側(cè)海馬區(qū)camkⅡ的表達(dá)。(4)統(tǒng)計(jì)學(xué)處理:所得計(jì)量數(shù)值采用均數(shù)±標(biāo)準(zhǔn)差(?x±s)表示;實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采用ibmspssstatistics19.0軟件進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析;以p0.0為具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義,并且以p0.01為顯著統(tǒng)計(jì)學(xué)意義;定位航行試驗(yàn)數(shù)據(jù)采用重復(fù)數(shù)據(jù)的多因素方差分析的方法,空間探索試驗(yàn)數(shù)據(jù)采用單因素方差分析進(jìn)行分析;免疫組化染色數(shù)據(jù)用單因素方差分析方法;并對(duì)數(shù)據(jù)行線性相關(guān)分析;將所有數(shù)據(jù)及分析結(jié)果采用graphpadprism5軟件繪制成圖。結(jié)果:①行為學(xué)mwm測(cè)試:模型組大鼠在定位航行試驗(yàn)和空間探索試驗(yàn)中均表現(xiàn)出明顯的學(xué)習(xí)記憶障礙,電針組大鼠在兩類行為學(xué)測(cè)試中成績(jī)均明顯優(yōu)于模型組和假針刺組(p0.05),模型組與假針刺組mwm測(cè)試結(jié)果無統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(p0.05);②nogo-a表達(dá)免疫組織化學(xué)染色結(jié)果:通過免疫組化檢測(cè)nogo-a陽(yáng)性產(chǎn)物平均光密度值,電針治療7d、14d和28d后nogo-a表達(dá)降低,和正常組、假針刺組相比,差異具有顯著意義(p㩳0.01)。模型組與假針刺組nogo-a的表達(dá)無統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(p0.05);③camkii表達(dá)免疫組織化學(xué)染色結(jié)果:模型組camkii陽(yáng)性產(chǎn)物平均光密度值低于正常組(p0.01),電針治療7d、14d和28d后可增加camkii的表達(dá),和正常組、假針刺組相比,差異具有顯著意義(p㩳0.01)。模型組與假針刺組camkii的表達(dá)無統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(p0.05);④行為學(xué)mwm測(cè)試成績(jī)與nogo-a表達(dá)呈負(fù)相關(guān),行為學(xué)mwm測(cè)試成績(jī)與camkii表達(dá)呈正相關(guān),nogo-a表達(dá)與camkii表達(dá)呈負(fù)相關(guān)。結(jié)論:本研究通過制作PSCI模型,觀察電針“百會(huì)、四神聰”干預(yù)對(duì)MCAO模型大鼠學(xué)習(xí)記憶能力及Nogo-A、CaMKII表達(dá)的關(guān)系,得出如下結(jié)論:1.MCAO模型大鼠學(xué)習(xí)記憶力下降,MCAO模型能模擬PSCI大鼠的學(xué)習(xí)記憶功能障礙;2.電針“百會(huì)、四神聰”穴可降低海馬內(nèi)Nogo-A表達(dá),增加海馬內(nèi)CaMKII的表達(dá);3.電針改善PSCI大鼠學(xué)習(xí)記憶能力與Nogo-A表達(dá)呈負(fù)相關(guān),與CaMKII的表達(dá)呈正相關(guān);4.電針“百會(huì)、四神聰”穴能夠改善PSCI大鼠的學(xué)習(xí)記憶能力;5.電針“百會(huì)、四神聰”穴改善PSCI大鼠的學(xué)習(xí)記憶能力與針刺的安慰效應(yīng)無關(guān);6.電針改善PSCI大鼠學(xué)習(xí)記憶能力的機(jī)理可能與電針下調(diào)神經(jīng)再生抑制因子Nogo-A的表達(dá),上調(diào)學(xué)習(xí)記憶的分子開關(guān)CaMKII的表達(dá)有關(guān)。
【關(guān)鍵詞】:PSCI MCAO模型 海馬 電針 Nogo-A Ca MKII 百會(huì) 四神聰
【學(xué)位授予單位】:四川醫(yī)科大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:R245;R-332
【目錄】:
- 中文摘要4-7
- 英文摘要7-12
- 前言12-14
- 材料與方法14-24
- 結(jié)果24-31
- 附圖31-43
- 討論43-51
- 結(jié)論51-52
- 參考文獻(xiàn)52-63
- 英漢縮略詞對(duì)照表63-64
- 致謝64-65
- 針灸治療腦梗死后認(rèn)知功能障礙的研究現(xiàn)狀(綜述)65-88
- 綜述參考文獻(xiàn)83-88
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):384435
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