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1)  Auger electron spectroscopy (AES)

俄歇電子能譜學

2)  AES

俄歇

1.

Application of Factor Analysis to AES Studiesof Uranium Oxidation by CO and O_2;

因子分析技術(shù)在鈾與CO,O_2反應俄歇分析中的運用

3)  Auger phenomenon

俄歇現(xiàn)象

4)  Auger lineshape

俄歇線形

1.

In order to measure the local density of states on each depth profile of the GaAs/Si interface by AES, the Auger lineshape is carefully processed and the Auger lineshape analysis is performed with the help of factor analysis.

采集GaAs／Si界面的各個深度剖面的俄歇線形（Augerlineshape），試圖獲得局域態(tài)密度變化的信息。

5)  Auger peaks of cerium

鈰俄歇峰

6)  Auger parameter

俄歇參數(shù)

1.

The Auger parameter can be measured more accurately.

從ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可獲得中心離子Ｃｅ的電子云密度等信息，發(fā)現(xiàn)其俄歇參數(shù)與配位體的極化變形程度有關，從而解釋了雙烯烴定向聚合必須有稀土鹵氧鍵存在的原因。

2.

The suboxides SiO_x on the SiO_2/Si interface were studied by the Auger parameter method.

本文報道了俄歇參數(shù)法用于SiO_2/Si界面層硅過渡態(tài)的研究。

參考詞條

俄歇能譜  俄歇俘獲  俄歇寬度  俄歇光譜  俄歇產(chǎn)額  俄歇簇射  俄歇峰  俄歇譜線  俄歇圖  俄歇系數(shù)  俄歇轉(zhuǎn)換  俄歇電子譜  俄歇電子峰  俄歇參數(shù)α  經(jīng)營服務方式  村級集體經(jīng)濟 

補充資料：俄歇電子能譜

    　　測定俄歇電子的能量從而獲得固體表面組成等信息的技術(shù)。處于激發(fā)態(tài)的原子可能發(fā)生兩類過程（圖1）。一類是內(nèi)殼層空穴被外殼層電子所填充,由此釋放出能量而產(chǎn)生X射線熒光。另一類是電子由外殼層落到內(nèi)殼層，用所釋放出來的能量打出一個其電離勢更低的軌道電子（通常為價電子）。后一個過程稱為俄歇過程,以發(fā)現(xiàn)此過程的法國科學家P.-V.俄歇命名，被打出來的電子稱為俄歇電子。用光或電子轟擊固體表面，都能產(chǎn)生俄歇效應。
　　
　　俄歇電子在固體中運行也同樣要經(jīng)歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產(chǎn)生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、掃描，因此俄歇電子能譜可以作表面微區(qū)分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像。它是近代考察固體表面的強有力工具，廣泛用于各種材料分析以及催化、吸附、腐蝕、磨損等方面的研究。
　　
　　
　　

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