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81. Si 2+ /He + 離子輻照對(duì)單晶4H-SiC力學(xué)性能的影響
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82. Al 2 O 3 /4H-SiC MOS結(jié)構(gòu)制備及相關(guān)性能研究
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83. 4h/d站立可防止4周尾部懸吊大鼠比目魚肌的萎縮
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84. 4H-SiC肖特基結(jié)紫外探測(cè)器的性能及可靠性研究
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85. 超高壓4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生長
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86. LTA4H基因多態(tài)性對(duì)動(dòng)脈粥樣硬化型腦梗死的影響
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87. 4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的單粒子燒毀效應(yīng)
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88. 4H-SiC MOS電容柵介質(zhì)經(jīng)NO退火電流導(dǎo)通機(jī)理研究
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89. 一種4H-SiC基MIS SBD高溫氣敏傳感器的研究
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90. 一種應(yīng)用于脈沖功率領(lǐng)域的4H-SiC GTO晶閘管的設(shè)計(jì)
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