本文選題：碳化硅(SiC) + 單粒子燒毀(SEB)　； 參考：《微納電子技術(shù)》2017年02期

【摘要】：對基于4H-SiC和6H-SiC的垂直雙擴散MOSFET(VDMOSFET)的單粒子燒毀(SEB)效應(yīng)進行了對比研究。建立了器件的二維仿真結(jié)構(gòu),對不同SiC材料構(gòu)成的器件物理模型及其材料參數(shù)進行了修正。利用Silvaco TCAD軟件進行了二維器件的特性仿真,得到了兩器件SEB效應(yīng)發(fā)生前后的漏極電流曲線和電場分布圖。研究結(jié)果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB閾值電壓分別為335 V和270 V,發(fā)生SEB效應(yīng)時的最大電場強度分別為2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效應(yīng)方面比6H-SiC材料更有優(yōu)勢。所得結(jié)果可為抗輻射功率器件的設(shè)計及應(yīng)用提供參考。
[Abstract]:The single particle burnout effect of vertical double diffusion MOSFETs VDMOSFETs based on 4H-SiC and 6H-SiC is studied. The two-dimensional simulation structure of the device is established, and the physical model and material parameters of different SiC materials are modified. The characteristics of two-dimensional devices are simulated by Silvaco TCAD software, and the drain current curve and electric field distribution of the two devices before and after the SEB effect are obtained. The results show that the SEB threshold voltages of 4H-SiC and 6H-SiC VDMOSFET are 335V and 270V, respectively. The maximum electric field intensity of SEB is 2.5 MV/cm and 2.2 MV / cm ~ 4H-SiC, respectively, which is superior to that of 6H-SiC. The results can provide a reference for the design and application of anti-radiation power devices.
【作者單位】： 空軍工程大學(xué)理學(xué)院;空軍第一航空學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(11405270)
【分類號】：TN386

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前6條

1 張麗,莊奕琪,李小明,姜法明;關(guān)于VDMOSFET二次擊穿現(xiàn)象的分析和研究[J];電子器件;2005年01期

2 朱靜遠 ,茅盤松 ,謝世健;功率VDMOSFET研制[J];電子器件;1991年02期

3 茅盤松;智能高壓大功率VDMOSFET[J];電子器件;1995年04期

4 金千男,杜國同;功率VDMOSFET與IGBT的最新結(jié)構(gòu)與性能特點[J];吉林大學(xué)學(xué)報(信息科學(xué)版);2004年06期

5 石廣源;李嚴;李永亮;高嵩;;VDMOSFET溝道區(qū)的研究[J];遼寧大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2007年01期

6 ;[J];;年期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

1 曹鵬輝;基于VDMOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷預(yù)兆單元研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年

，

本文編號：1940728