本文選題：碳化硅(SiC) + 單粒子燒毀(SEB)　； 參考：《微納電子技術(shù)》2017年02期

【摘要】：對(duì)基于4H-SiC和6H-SiC的垂直雙擴(kuò)散MOSFET(VDMOSFET)的單粒子燒毀(SEB)效應(yīng)進(jìn)行了對(duì)比研究。建立了器件的二維仿真結(jié)構(gòu),對(duì)不同SiC材料構(gòu)成的器件物理模型及其材料參數(shù)進(jìn)行了修正。利用Silvaco TCAD軟件進(jìn)行了二維器件的特性仿真,得到了兩器件SEB效應(yīng)發(fā)生前后的漏極電流曲線和電場(chǎng)分布圖。研究結(jié)果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB閾值電壓分別為335 V和270 V,發(fā)生SEB效應(yīng)時(shí)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度分別為2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效應(yīng)方面比6H-SiC材料更有優(yōu)勢(shì)。所得結(jié)果可為抗輻射功率器件的設(shè)計(jì)及應(yīng)用提供參考。
[Abstract]:The single particle burnout effect of vertical double diffusion MOSFETs VDMOSFETs based on 4H-SiC and 6H-SiC is studied. The two-dimensional simulation structure of the device is established, and the physical model and material parameters of different SiC materials are modified. The characteristics of two-dimensional devices are simulated by Silvaco TCAD software, and the drain current curve and electric field distribution of the two devices before and after the SEB effect are obtained. The results show that the SEB threshold voltages of 4H-SiC and 6H-SiC VDMOSFET are 335V and 270V, respectively. The maximum electric field intensity of SEB is 2.5 MV/cm and 2.2 MV / cm ~ 4H-SiC, respectively, which is superior to that of 6H-SiC. The results can provide a reference for the design and application of anti-radiation power devices.
【作者單位】： 空軍工程大學(xué)理學(xué)院;空軍第一航空學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11405270)
【分類號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：1940728