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81. GaN基紫外LED多量子阱勢阱層材料生長條件的研究
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82. 不同轉(zhuǎn)移工藝制備的垂直結(jié)構(gòu)Si襯底GaN基LED光衰研究
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83. 圖形化藍寶石襯底形貌對GaN基LED出光性能的影響
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84. GaN基薄膜LED倒裝芯片表面結(jié)構(gòu)設(shè)計及光萃取效率研究
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85. 高光效大功率藍光InGaN/GaN LED芯片制造及其漏電機理研究
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86. GaN基LED中引入銀納米結(jié)構(gòu)對其發(fā)光效率影響的研究
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87. 硅襯底GaN基黃光LED的生長條件對光電性能影響的研究
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88. GaN基藍光LED中光子晶體對提取效率及發(fā)光偏振態(tài)的影響
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89. P層結(jié)構(gòu)與工藝對硅基GaN長波長LED性能影響的研究
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90. p-GaN插入層調(diào)控InGaN基黃綠雙波長LED發(fā)光光譜
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