本文關(guān)鍵詞：GaN基藍光LED中光子晶體對提取效率及發(fā)光偏振態(tài)的影響

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【摘要】：為了提高氮化鎵基藍光發(fā)光二極管的發(fā)光提取效率,在其電流擴展層上生長光子晶體.討論了光子晶體結(jié)構(gòu)周期、刻蝕深度和占空比參數(shù)與提取效率的關(guān)系,并采用時域有限差分法進行模擬計算.結(jié)果表明在晶格周期為300nm、占空比為60%和刻蝕深度為200nm的條件下,生長光子晶體結(jié)構(gòu)后,氮化鎵基藍光發(fā)光二極管的提取效率提升了27.93%.研究了激勵源在光子晶體晶格周期內(nèi)位置變化對提取效率的影響,擬合得到更符合實際物理意義的氮化鎵基藍光發(fā)光二極管發(fā)光提取效率函數(shù).利用等效折射率理論和法布里-珀羅薄膜干涉模型解釋了氮化鎵基藍光發(fā)光二極管中TE模和TM模偏振之間提取效率的差異,數(shù)值仿真得到最大差異值為1.442倍,從而獲得高偏振對比度光源.用該結(jié)構(gòu)參數(shù)制備的發(fā)光二極管器件應(yīng)用于液晶顯示背光源,可提高液晶顯示的能耗效率.
【作者單位】： 上海交通大學電子信息與電氣工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 發(fā)光二極管 光子晶體 偏振 提取效率 等效折射率 時域有限差分
【基金】：國家自然科學基金(Nos.61370047,11374212,61007025,51235007,11421064)資助~~
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 0引言20世紀90年代初,中村修二對氮化鎵(GalliumNitride,GaN)基發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)InGaN層成膜的工藝技術(shù)進行了革新[1-2],獲得了可商業(yè)化的高效率的藍光LED.近幾年來由GaN基1-1003111藍光LED加黃色熒光粉生成的白光LED量產(chǎn)發(fā)光效率已超過100lm/W,而理論計，

本文編號：868562