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71. GaN基長(zhǎng)波紫外LED多量子阱結(jié)構(gòu)調(diào)整對(duì)光效的影響
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72. GaN基LED電子阻擋層的第一性原理計(jì)算和設(shè)計(jì)
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73. GaN基LED在短期電流應(yīng)力老化過(guò)程中的光電性能研究
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74. 三維陣列及V形坑提升GaN基LED光電性能的研究
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75. V坑對(duì)硅襯底GaN基長(zhǎng)波長(zhǎng)LED光電性能的影響
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76. 非故意摻雜GaN層厚度對(duì)藍(lán)光LED波長(zhǎng)均勻性的影響
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77. Si襯底上GaN基近紫外LED的缺陷控制及能帶調(diào)控
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78. InGaN/GaN多量子阱LED載流子泄漏與溫度關(guān)系研究
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79. 藍(lán)光GaN基Micro-LED芯片制備及激光剝離工藝研究
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80. 基于石墨烯-ZnO納米線的復(fù)合電極在GaN LED中的應(yīng)用
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