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71. 半絕緣4H-SiC光激發(fā)載流子濃度的Raman光譜研究
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72. 高功率4H-SiC JBS/SBD器件可靠性問題研究
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73. 功率器件用n/p型4H-SiC同時形成歐姆接觸工藝
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74. 抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的復合提高層設(shè)計
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75. 高壓4H-SiC JBS功率整流器的設(shè)計優(yōu)化與實驗驗證
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76. 基于EQ4H型內(nèi)燃機含裂紋曲軸的應(yīng)力強度因子計算
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77. 晶圓各向異性對4H-SiC基VDMOSFET單粒子效應(yīng)的影響
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78. 埋柵4H-SiC靜電感應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化和特性研究
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79. 基于4H-SiC PiN的橋式整流器關(guān)鍵工藝與高溫特性研究
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80. 退火條件對4H-SiC/SiO2 MOS電容特性的影響研究
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