本文關鍵詞： H-SiC 晶圓各向異性 單粒子燒毀 單粒子柵穿　出處：《固體電子學研究與進展》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：研究了晶圓各向異性對4H-SiC基垂直雙擴散MOSFET(VDMOSFET)單粒子效應的影響。建立了器件二維仿真結構,選取合適的仿真模型并對參數進行了修正。仿真結果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圓器件的單粒子燒毀(SEB)閾值電壓(V_(SEB))分別為350V和255V,SEB發(fā)生時的臨界擊穿電場強度分別為2.4×10~6 V/cm和1.8×10~6 V/cm。在V_d=30V、V_g=-13.9 V的偏置條件下,兩種晶圓器件的氧化層最大瞬態(tài)電場均為5.6×10~6 V/cm。結果表明晶圓各向異性導致(0001)晶圓器件的抗SEB能力更強,而對單粒子柵穿效應(SEGR)沒有影響。
[Abstract]:The effect of wafer anisotropy on the single particle effect of 4H-SiC vertical double diffusion MOSFETs VDMOSFETs is studied. The two-dimensional simulation structure of the device is established, the appropriate simulation model is selected and the parameters are modified. The threshold voltage of single particle burn out SEB is 350 V and 255 V / V SEB, respectively. The critical breakdown electric field intensity is 2.4 脳 10 ~ 6 V / cm and 1.8 脳 10 ~ (6) V / r ~ (cm) respectively. Under the bias condition of Vd30V / VG ~ (-13.9) V, the critical breakdown electric field intensity is 2.4 脳 10 ~ (6) V / cm and 1.8 脳 10 ~ (6) V / cm, respectively. The maximum transient electric field of the oxide layer of the two wafers is 5.6 脳 10 ~ (6) V / cm ~ (-1). The results show that the wafer anisotropy leads to a stronger resistance to SEB, but has no effect on the single-particle gate tunneling effect.
【作者單位】： 空軍工程大學理學院;空軍第一航空學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(11405270)
【分類號】：TN386
【正文快照】： ***引言隨著空間技術的發(fā)展,垂直雙擴散MOSFET(Vertical double-diffused MOSFET,VDMOSFET)應用于航天器的電力系統(tǒng)中遭受著嚴重的輻射效應,在各類輻射效應引發(fā)的故障中,由單粒子效應(Single event effect,SEE)導致的故障占28.5%[1]。VDMOSFET器件中發(fā)生單粒子燒毀(Single eve

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本文編號：1483983