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抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的復(fù)合提高層設(shè)計

發(fā)布時間:2022-10-05 20:00
  "雙極型退化"是目前影響4H-碳化硅(SiC)雙極型器件穩(wěn)定工作的重要問題。針對此現(xiàn)象,以萬伏級的超高壓PiN二極管為例,詳細(xì)介紹在襯底與外延層之間如何設(shè)計合適的"復(fù)合提高層"以抑制雙極型退化。研究了器件工作電流密度和"復(fù)合提高層"少子壽命對設(shè)計"復(fù)合提高層"的影響。結(jié)果表明,在一定的工作電流密度下,"復(fù)合提高層"少子壽命越短,所需"復(fù)合提高層"厚度越薄。 

【文章頁數(shù)】:3 頁

【文章目錄】:
1 引言
2 原理與設(shè)計
3 實驗
4 結(jié)論



本文編號:3686413

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