"雙極型退化"是目前影響4H-碳化硅（SiC）雙極型器件穩(wěn)定工作的重要問題。針對(duì)此現(xiàn)象,以萬伏級(jí)的超高壓PiN二極管為例,詳細(xì)介紹在襯底與外延層之間如何設(shè)計(jì)合適的"復(fù)合提高層"以抑制雙極型退化。研究了器件工作電流密度和"復(fù)合提高層"少子壽命對(duì)設(shè)計(jì)"復(fù)合提高層"的影響。結(jié)果表明,在一定的工作電流密度下,"復(fù)合提高層"少子壽命越短,所需"復(fù)合提高層"厚度越薄。 

【文章頁數(shù)】：3 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 原理與設(shè)計(jì)
3 實(shí)驗(yàn)
4 結(jié)論



本文編號(hào)：3686413