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61. 基于4H-SiC PiN的橋式整流器關(guān)鍵工藝與高溫特性研究
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62. 退火條件對4H-SiC/SiO2 MOS電容特性的影響研究
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63. Si 2+ /He + 離子輻照對單晶4H-SiC力學(xué)性能的影響
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64. Al 2 O 3 /4H-SiC MOS結(jié)構(gòu)制備及相關(guān)性能研究
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65. 4H-SiC肖特基結(jié)紫外探測器的性能及可靠性研究
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66. 4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的單粒子燒毀效應(yīng)
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67. 4H-SiC MOS電容柵介質(zhì)經(jīng)NO退火電流導(dǎo)通機理研究
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68. 一種4H-SiC基MIS SBD高溫氣敏傳感器的研究
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69. 一種應(yīng)用于脈沖功率領(lǐng)域的4H-SiC GTO晶閘管的設(shè)計
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70. 寬帶隙半導(dǎo)體4H-SiC核輻射探測器的設(shè)計與仿真
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