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61. 新型本征GaN帽層AlGaN/GaN HEMTs結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)研究
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62. 基于AlN和GaN形核層的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件對(duì)比
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63. Cas-GAN:一種基于GAN和強(qiáng)化學(xué)習(xí)的對(duì)話管理策略學(xué)習(xí)方法
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64. p-GaN帽層增強(qiáng)型GaN HEMT器件柵結(jié)構(gòu)與鈍化研究
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65. 具有部分本征GaN帽層新型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管特性分析
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66. AlGaN/GaN/AlGaN/GaN雙異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中極化庫(kù)侖場(chǎng)散射機(jī)制研究
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67. 摻Fe高阻GaN緩沖層特性及其對(duì)AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件的影響研究
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68. GaN基RCLED的研究
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69. 新型GaN基FinFET研究
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70. 高增益GaN基PIN雪崩二極管的制備及p-GaN層載流子濃度的估算（英文）
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