為了優(yōu)化傳統(tǒng)Al GaN/GaN高電子遷移率晶體管（high electron mobility transistors,HEMTs）器件的表面電場(chǎng),提高擊穿電壓,本文提出了一種具有部分本征GaN帽層的新型Al GaN/GaN HEMTs器件結(jié)構(gòu).新型結(jié)構(gòu)通過在Al GaN勢(shì)壘層頂部、柵電極到漏電極的漂移區(qū)之間引入部分本征GaN帽層,由于本征GaN帽層和Al GaN勢(shì)壘層界面處的極化效應(yīng),降低了溝道二維電子氣（two dimensional electron gas,2DEG）的濃度,形成了柵邊緣低濃度2DEG區(qū)域,使得溝道2DEG濃度分區(qū),由均勻分布變?yōu)殡A梯分布.通過調(diào)制溝道2DEG的濃度分布,從而調(diào)制了Al GaN/GaN HEMTs器件的表面電場(chǎng).利用電場(chǎng)調(diào)制效應(yīng),產(chǎn)生了新的電場(chǎng)峰,且有效降低了柵邊緣的高峰電場(chǎng),Al GaN/GaN HEMTs器件的表面電場(chǎng)分布更加均勻.利用ISE-TCAD軟件仿真分析得出:通過設(shè)計(jì)一定厚度和長(zhǎng)度的本征GaN帽層,Al GaN/GaN HEMTs器件的擊穿電壓從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的427 V提高到新型結(jié)構(gòu)的960 V.由于溝道2DEG濃度減小,溝道電阻增加... 

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 器件結(jié)構(gòu)
3 仿真結(jié)果與分析
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]F離子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT器件耐壓分析[J]. 段寶興,楊銀堂,陳敬.  物理學(xué)報(bào). 2012(22)



本文編號(hào)：3714521