利用金屬有機物化學(xué)氣相沉積技術(shù)在藍寶石襯底上制備了摻Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高電子遷移率晶體管（HEMT）結(jié)構(gòu).對Cp₂Fe流量不同的高阻Ga N特性進行了研究.研究結(jié)果表明,Fe雜質(zhì)在Ga N材料中引入的Fe^3+/2+深受主能級能夠補償背景載流子濃度從而實現(xiàn)高阻,Fe雜質(zhì)在Ga N材料中引入更多起受主作用的刃位錯,也在一定程度上補償了背景載流子濃度.在一定范圍內(nèi),Ga N材料方塊電阻隨Cp₂Fe流量增加而增加,Cp₂Fe流量為100 sccm（1 sccm 1mL min）時,方塊電阻增加不再明顯;另外增加Cp₂Fe流量也會導(dǎo)致材料質(zhì)量下降,表面更加粗糙.因此,優(yōu)選Cp₂Fe流量為75 sccm,相應(yīng)方塊電阻高達×10?/,外延了不同摻Fe層厚度的Al Ga N/Ga N HEMT結(jié)構(gòu),并制備成器件.HEMT器件均具有良好的夾斷以及柵控特性,并且增加摻Fe層厚度使得HEMT器件的擊穿電壓提高了39.3%,同時對器件的轉(zhuǎn)移特性影響較小. 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2016,65(01)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 結(jié)果與討論
    3.1 摻雜源Cp2Fe流量對材料特性的影響
    3.2 摻Fe層厚度對HEMT器件的影響
4 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]GaN HEMT歐姆接觸模式對電學(xué)特性的影響[J]. 朱彥旭,曹偉偉,徐晨,鄧葉,鄒德恕.  物理學(xué)報. 2014(11)
[2]F離子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT器件耐壓分析[J]. 段寶興,楊銀堂,陳敬.  物理學(xué)報. 2012(22)



本文編號：3637517