為您找到約80篇文章，耗時(shí)0.0259秒，數(shù)據(jù)庫總量為384,902,208篇。
-
61. 退火條件對(duì)4H-SiC/SiO2 MOS電容特性的影響研究
-
-
62. Si 2+ /He + 離子輻照對(duì)單晶4H-SiC力學(xué)性能的影響
-
-
63. Al 2 O 3 /4H-SiC MOS結(jié)構(gòu)制備及相關(guān)性能研究
-
-
64. 4H-SiC肖特基結(jié)紫外探測(cè)器的性能及可靠性研究
-
-
65. 超高壓4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生長
-
-
66. 4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的單粒子燒毀效應(yīng)
-
-
67. 4H-SiC MOS電容柵介質(zhì)經(jīng)NO退火電流導(dǎo)通機(jī)理研究
-
-
68. 一種4H-SiC基MIS SBD高溫氣敏傳感器的研究
-
-
69. 一種應(yīng)用于脈沖功率領(lǐng)域的4H-SiC GTO晶閘管的設(shè)計(jì)
-
-
70. 寬帶隙半導(dǎo)體4H-SiC核輻射探測(cè)器的設(shè)計(jì)與仿真
-
